1. 每个存储单元可存储 2 位数据。2. 读写速度比 SLC 稍慢，可靠性也稍低。3. 擦写寿命一般为 3000-10000 次。4. 成本相对较低，容量较大。TLC（Triple-Level Cell，三层单元）：1. 每个存储单元可存储 3 位数据。2. 读写速度相对较慢，可靠性进一步降低。3. 擦写寿命较短，通常为 500-1000 次。4....
NAND闪存战争 T..随着固态硬盘市场的快速发展,固态硬盘所使用的闪存也备受关注。目前市场上主流的闪存有两种,一种是MLC,一种是TLC。而TLC从诞生开始就被广大消费者认为是性能差、可靠性低、寿命短,因此并不受消费者待见
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NAND 是一种非易失性闪存，可在未连接电源时存储数据。断电后保留数据的能力使得 NAND 成为内置设备、...
这个问题其实很简单，主要针对固态硬盘的NAND闪存类型展开讨论，闪存类型主要分为SLC、MLC、TLC、QLC，成本...
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TLC NAND TLC NAND为三级单元,每个单元存储3个位,P/E周期降至最高3000个。 总结:TLC在单元空间内提升了容量,但性能和耐久性下降,价格变得比MLC要便宜。目前在消费类产品上,采用TLC是性价比最高的存储方案,性能、价格、容量等多个方面达到了较好的平衡。
与TLC相比阵列密度高出33%。据了解，英特尔、美光都已推出了QLC 3D NAND闪存产品，这种产品将在大数据等类似应用中发挥很大的作用。来自 “EnterpriseStorage”， 原文链接：http://www.enterprisestorageforum.com/storage-hardware/slc-vs-mlc-vs-tlc-nand-flash.html，转载请注明出处，否则将追究法律责任。
iPhone6 64G版本TLC与MLC闪存对比测 iPhone6 plus 128G遭遇频繁死机,用户很郁闷,分析认为可能与TLC NAND存储器控制IC的缺陷有关。现又有消息称,并非只有iPhone6 Plus 128G采用了TLC(Triple-Level Cell)闪存,iPhone 6 64G也中枪了。 香港HKEPC网站就找来多台iPhone 6 64G来做样版测试,包括太空灰,银色及金色等...
TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”,相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”,SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。