SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,自然价格就便宜了。 MLC与 TLC都十分仰赖 ECC,一有出错就会导致倍数以上的数据损失,好的是,截至 2012年底,各大厂 ECC技术其实都已经相当成熟。 (3)...
SLC的擦写次数远大于MLC、TLC,也就是说寿命长。 SLC每个晶体管只能代表一个比特,从存储密度看,是最低的,TLC存储密度最高,MLC次之。 总的来看,SLC的性能、寿命、稳定性是优于MLC的,当然价格也更贵,MCL次之,TLC最次。 二、Flash的结构及特点 Flash的结构 Flash中存在下面几个基本概念:package、die、plane、blo...
MLC（Multi-Level Cell，多层单元）：1. 每个存储单元可存储 2 位数据。2. 读写速度比 SLC 稍慢，可靠性也稍低。3. 擦写寿命一般为 3000-10000 次。4. 成本相对较低，容量较大。TLC（Triple-Level Cell，三层单元）：1. 每个存储单元可存储 3 位数据。2. 读写速度相对较慢，可靠性进一步降低。3. 擦写...
SLC NAND Flash 和 MLC NAND Flash 的性能差异主要体现在以下几个方面：1. 读写速度：SLC 的读写速度通常明显快于 MLC。SLC 能实现更快的数据传输，对于需要快速响应的应用更有优势。2. 数据持久性：SLC 的擦写寿命长，数据保持能力较好，在长期使用过程中数据更不容易出错。3. 出错率：SLC 的出错率相对较低...
Flash闪存颗粒中每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性变差，寿命变低，各有利弊。相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10；相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/3；相对于TLC来说，QLC的容量大了33%，寿命...
2、SLC与MLC的比较 SLC 与 MLC 的比较主要可以分为寿命、成本、功耗、效能与出错率五个面向。 (1)比较寿命 原理说明 固态硬盘存储数据主要靠单元中浮置闸所捕获电子的量,电子要进入或离开浮置闸都得藉由穿隧效应进出用来阻挡电子的二氧化硅层。而二氧化硅层其实只有10nm左右厚度,在每一次的穿隧注入电子或释出时,二...
本文主要介绍NAND flash相关情况。 NAND闪存的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主,NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC,从结构上又可分为2D、3D两大类。 第一代SLC(Single-Level Cell)每单元可存储1比特数据(1bit/cell),性能好、寿命长,可经受10万次编程/擦写循环,但容量低、成本高; ...
NAND闪存的常见类型有SLC、MLC、TLC 和QLC等。不同类型的闪存,其结构特性、单元位数、耐久性等是不同的,其中耐久性是由闪存单元在开始磨损前可以完成的程序擦写(P/E)周期数量来决定的,擦除和写入一个单元的过程便是一个P/E周期,P/E周期的标称数值越高,则表示该闪存颗粒可擦写的次数越高,即其耐久性越高。
一、SLC与MLC 从架构上来分,Flash可以分为SLC Flash和MLC Flash。闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据[2]。
针对MLC NAND Flash来说,在相同电压阈值窗口需要保持4个不同的状态数据,可用的阈值窗口大小相比SLC NAND Flash,约为其1/2。MLC NAND在编程机制、氧化层损坏程度跟SLC NAND是一样时,MLC NAND的程序/删除阈值窗口只有SLC NAND的1/2,这意味着MLC NAND Flash的“擦除窗口窄化”相比MLC NAND更早、更明显,如图3所...