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库存类型&价格:富昌电子 参考价(含税价) 3000+¥ 3.6717 6000+¥ 3.5892 批量议价 富昌电子库存:2400 PCS(一整包装有3000PCS) 年份:2408 订货数量: -+ 合计:¥11015.1 加入订货单 品牌: VISHAY(威世) 商品型号:SIS402DN-T1-GE3 产品状态:在售 ...
制造商编号SIS402DN-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号A36-SIS402DN-T1-GE3-0 供货严选 无铅情况/RoHs不符合RoHs 描述 35A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 19A,10V 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 30V
描述 SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封装技术的高性能N沟道MOSFET。其关键特性包括30V的最大漏源电压VDSS,以及强大的80A连续电流ID处理能力,充分满足高功率应用需求。尤为突出的是其优异的导通电阻RD(on),低至4.7mR,旨在最大程度地减小传导损耗,提高整体系统效能,特别适用于开关电源转换、电机驱...
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型号 SIS402DN-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SIS402DN-T1-GE3 封装: PPAK1212-8 批号: 2204 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 商标名: TrenchFET, PowerPAK 系列: SIS 商标: Vishay Semiconductors 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 3000 子类别: MOSFETs 零件号...
品牌:其他 型号:SIS402DN-T1-GE3 封装:QFN8 批号:1 FET类型:N 漏源电压(Vdss):1 漏极电流(Id):1 漏源导通电阻(RDS On):1 栅源电压(Vgs):1 栅极电荷(Qg):1 反向恢复时间:1 最大耗散功率:1 配置类型:1 工作温度范围:1 安装类型:1 应用领域:军工/航天,安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,照明电...
型号:SIS402DN-T1-GE3品牌:VISHAY(威世)名称:1个N沟道 耐压:30V 电流:35A 本页面提供VISHAY(威世)的SIS402DN-T1-GE3产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。SIS402DN-T1-GE3参考售价为1.35元起,现货库存数量4018个 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 ...
产品结构:SISH402DN-T1-GE3是一款由三个机架组成的交叉场路光放大器,采用分布式架构,支持多种网络拓扑结构,可以满足不同用户的需求。它支持双通道,双速率为10Gbit/s和1Gbit/s的信号传输,以及多种类型的信号格式,可以实现多种信号的混合传输。它的结构紧凑,安装方便