百度爱采购为您找到78条最新的sis412dn-t1-ge3产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® Fabricante Vishay Siliconix Número de pieza del fabricante SIS412DN-T1-GE3 Descripción MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Plazo estándar del fabricante 19 ...
商品型号:SIS412DN-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103201004 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 PowerPAK 包装 圆盘 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 25℃时电流-连续漏极(Id) 12A(Tc) 驱动电压(最大...
品牌名称 HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号 SIS412DN-T1-GE3-HXY 商品编号 C22366922 商品封装 DFN-8L(3x3) 包装方式 编带 商品毛重 0.0665克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 20A 导通...
型号: SIS412DN-T1-GE3 批号: 2021+ 封装: QFN-8 数量: 658900 QQ: 3257140292 描述: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 14 周 详细描述:...
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,7.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA N沟道 技术资料
制造商编号 SIS412DN-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SIS412DN-T1-GE3-1 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8分享: ...
1国内(含增税)交期(工作日):1个工作日内 库存: 1661(5起订) 批次: 超3年 数量: X3.04728(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 15.2364 品牌:Vishay(威世) 型号:SIS412DN-T1-GE3 商品编号:DS0074424 封装规格:PowerPAK1212-8 商品描述:MOSFETs 1个N沟道 耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8 ...
在淘宝,您不仅能发现SIS412DN-T1-GE3-ES 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:2的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SIS412DN-T1-GE3-ES 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:2的信息,请来
SIS412DN-T1-GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stoparrow 等渠道进行代购。 SIS412DN-T1-GE3 价格参考￥ 1.84934 。 Vishay SIS412DN-T1-GE3 封装/规格: PowerPAK1212-8, MOSFETs 1个N沟道 耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8。你可以下载 SIS412DN-T1-GE3 中文资料、引...