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描述 SIS414DN-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为高密度电子设计打造。在30V的最大漏源电压(VDSS)下,可承载高达20A的连续漏极电流(ID),满足大电流应用需求。其突出的15mΩ导通电阻,有效提升系统效率,减少功耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计,是高性能、低电阻解决方案...
通用MOSFET 20A(Tc) N-Channel 16 mOhms @ 10A,4.5V 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 30V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIS414DN-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌
商品型号 SIS414DN-T1-GE3 商品编号 C143758 商品封装 PowerPAK1212-8 包装方式 编带 商品毛重 0.176克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)20A 属性参数值
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型号: SIS414DN-T1-GE3 封装: QFN 批号: 2023 数量: 3005 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 10A,4.5V 不同Id 时 Vgs...
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制造商产品型号:SIS414DN-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:停产 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc) 驱动电压(最大...