SIR826DP-T1-GE3 暂无SIR826DP-T1-GE3 的描述信息! SIR826DP-T1-GE3国产替代产品 SIR826DP-T1-GE3采购批发价格 SIR826DP-T1-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SIR826DP-T1-GE3 VISHAY/威世 0.33M 下载 相关资料 SIR826DP-T1-GE3相关资讯热门PDF 更多>> 型号浏览量 STM32F103C8T64068 次 LM3582021 次...
SIR826DP-T1-GE3 图像仅供参考 请参阅产品规格 制造商编号: SIR826DP-T1-GE3 制造商: Vishay威世 系列: TrenchFET® 描述: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 详细描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SIR882DP-T1-GE3 元器件,主要参数为:N-Channel 60A(Tc) ±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) 8.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 SOIC-8 100V 60A 8.7mΩ 2.8V,SIR882DP-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
型号: SIR836DP-T1-GE3 封装: QFN8 批号: 16+ 数量: 1 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 21 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms Vgs - 栅极...
型号 SIR428DP-T1-GE3 需要资料请联系客服,欢迎到恒信通电子商行购物! 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系类… 产品广泛应用于消费 类电子、电脑及周边、网络通讯、电力安防、电源管理、医疗设备及军工产品、通讯仪器、医疗仪器、 ...
对比推荐 制造商编号SIR788DP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号C-SIR788DP-T1-GE3 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 60A(Tc) N-Channel 3.4 mOhms @ 20A,10V 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 30V ...
商品型号:SIR882DP-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK® SO-8 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103230664 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 PowerPAK® SO-8 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25℃时电流-连...
SIR662DP-T1-GE3VISHAY威世原装60V100A场效应管N沟道MOS管 现货 深圳市长鑫科电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥15.00 全新SIR662DP-T1-GE3SIR662DP R662 贴片QFN8 大电流低内阻MOS管 深圳市杰信达电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
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