- 原理：Si3N4薄膜的CVD基本原理是利用硅源气体和氨气在高温下反应生成氮化硅。常见的硅源气体包括硅烷、二甲基硅胺等。- 工艺方法：CVD过程中，硅源气体和氨气被引入反应室，通过热分解或气相反应生成Si3N4气体，然后在基底表面发生凝结反应形成薄膜。温度、压力和气体流量等工艺参数的调节可影响薄膜的...
氮化硅(Si3N4) 可由石英与焦炭在高温的氮气流中通过以下反应制备:3SiO2+6C+2N2((\;高温\;))/(\;)Si3N4+6CO(1)请写出氮化硅
在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用S...
结果1 题目 (3)含有氮化硅(Si3N4)的高温结构陶瓷用于火箭发动机。 二氧化硅(SiO2)、碳单质和氮气在高温条件下反应生成氮化硅和一氧化碳,该反应的化高温学方程式为 3S_2^2O_2+6C+2_2N_2=S_2+C_4O_4 相关知识点: 试题来源: 解析 答案见上 反馈 收藏 ...
国产供应Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜;Si/SiO2/Ta/Cu薄膜;常规厚度300nmSiO2 西安齐岳生物科技有限公司提供*进口或者国产的薄膜,尺寸可定制;*基底以及外延的薄膜;品质高;有关*资料欢迎咨询。同时提供*二维材料;石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜(蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜...
1. 绝大多数集成电路都是用半导体硅Si作为起始材料 2. SiO2有两个突出的用途。它的绝缘性可以作为保护膜使p-n结免受周围环境杂质的污染。此外，可以用作稳定的、高温掩模材料，能选择性阻挡施主或受主杂质进入不希望掺杂的硅片中。3. 对于绝缘隔离层，通常采用SiO2和Si3N4 .4. 掺氧的多晶硅薄膜也...
体相同的方法来处理Si3N4/Si〇2双层驻极体薄膜、其电荷稳定性明显提高.因此,研究化学表面修正对驻 极体材料电荷储存稳定性的影响有重要的意义.通常采用的化学表面修正方法有HMDS和DCDMS两种方 法.本文通过对两种化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)驻极体薄膜及氮化硅/二氧化硅 ...
sio2核壳结构粉体材料的制备方法,以si3n4颗粒为基体,将kh550(γ-氨丙基三乙氧基硅烷)和硅油等质量混合后加入si3n4颗粒的丙酮溶液中,加热搅拌所得混合物,并伴随滴加润滑剂,得到复合溶液体系,使kh550和硅油包覆在所述基体的表面,离心,将所得复合物进行过风处理,得到中间产物,重复包覆和过风处理,得到所述si3n4/...
Si3N4的粒度对其转化率影响较大。SiO2当达到1873K时熔化也就是1599.85℃ Si3N4当达到1000℃时熔化。