凝胶铸模成型制备 凝胶铸模法制备多孔氮化硅陶瓷是利用柱状的β-Si3N4晶粒搭建多孔结构,以SiO2溶胶作为成型的单体,利用溶胶的凝胶过程成型后,进行烧结。 凝胶铸模法优点是: (1)可以使Si3N4在空气气氛下烧结,而不必添加保护气氛。 (2)SiO2在烧结过程中可以作为烧结助剂,提高了烧结体的强度。 (3)无需加入大量有机...
(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储* .结果表明:在常温环境中,300℃高温下,以及95%相对湿度时的60℃条件下,*试样表现出* 的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样,其电荷输运受慢再捕获效应(slow retrapping effect)控制;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4/SiO2驻极体的正电荷输运*...
(2D)石英纤维增强多孔Si3N4-SiO2基复合材料,采用X射线衍射技术就粘结剂种类和氮化硅的加入对材料析晶性能的影响进行了分析,采用扫描电镜对不同浸渗次数复合材料的截面和断口形貌进行了观察,并采用裂纹偏转因子对复合材料断裂模式进行了分析,结果表明,粘结剂中杂质Na+促进了石英析晶,而Si3N4对石英析晶影响不大,增加...
- 工艺方法：CVD过程中，将硅源气体和氧气引入反应室，经过化学反应生成SiO2气体，然后在基底表面发生凝结反应形成薄膜。反应条件包括温度、压力和气体流量等，根据具体工艺要求进行调节。2. Si3N4薄膜的工艺原理与方法：- 原理：Si3N4薄膜的CVD基本原理是利用硅源气体和氨气在高温下反应生成氮化硅。常见的...
1. 绝大多数集成电路都是用半导体硅Si作为起始材料 2. SiO2有两个突出的用途。它的绝缘性可以作为保护膜使p-n结免受周围环境杂质的污染。此外，可以用作稳定的、高温掩模材料，能选择性阻挡施主或受主杂质进入不希望掺杂的硅片中。3. 对于绝缘隔离层，通常采用SiO2和Si3N4 .4. 掺氧的多晶硅薄膜也...
摘要: 采用热压工艺制备了SiO2-Si3N4复合材料,其抗弯强度和断裂韧性达到143MPa和1.7MPa.m^1/2,比基体SiO2材料分别提高107%和70%,复合材料改善是由于高弹性模量的Si3N4引入以及SiO2和Si3N4热膨胀系数不匹配导致的残余应力.关键词: 氮化硅;复合材料;增韧;石英玻璃;玻璃 ...
氮化硅(Si3N4)是一种性能优异的无机非金属材料。一种用石英砂(含SiO2和少量铁、铜的单质及氧化物)和某种原料气合成氮化硅的工艺流程如下图:已知:常温下Si3N4不溶
解:3SiO2+6C+2N2((\;高温\;))/(\;)Si3N4+6CO中,氮化硅中氮元素的电负性大于硅元素,所以氮元素显负价,硅元素显正价,硅元素的化合价是+4价,化合物中各元素的化合价代数和为0,所以氮元素的化合价是-3价,(1)氮化硅中氮元素的化合价为-3价,二氧化硅中各元素的化合价不变,碳的化合价升高,氮元素的化合价...
在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用...
SiO2化学性质较为稳定。SiO2还能与HF(氢氟酸）反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O Si3N4及活性炭黑为原料，按照两者质量比为31制成试样。在埋炭条件下，将试样分别在1480 ℃、1500 ℃、1550 ℃和1600 ℃保温3 h热处理。利用SEM、EDS及XRD等检测方法，结合热力学分析，研究了高温状态下β?Si3N4在含碳耐火...