Si3N4蚀刻过程结束后,使用过氧化氢溶液去除残留的光刻胶。在此步骤之后,通过两个步骤沉积了一层3µm厚的SiO2层来封装样品。为了填充母线波导和微环之间的间隙而不产生气孔,首先采用温度为45°C的ALD沉积400 nm厚的SiO2层,然后采用PECVD在300°C的温度下沉积2.5µm厚的SiO2层。由于在Si3N4核心内有着严格的模...
- 原理：SiO2薄膜的CVD基本原理是通过化学反应在基底表面沉积二氧化硅。常用的方法是使用硅源气体（如二甲基硅烷或氧化硅气体）和氧气在高温下进行反应。- 工艺方法：CVD过程中，将硅源气体和氧气引入反应室，经过化学反应生成SiO2气体，然后在基底表面发生凝结反应形成薄膜。反应条件包括温度、压力和气体流量...
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英石与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得: SiO2+ &nb
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得: SiO2+ C+ N2=∑_(n=1)^∞ Si3N4+ CO(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内); (2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 ;(3)若知上述反应为放热反应,则其反应热△H 零(填“大于”、“小于”或...
lab CVD vacuum furnace for Insulator material SiO2 Si3N4 Product description of vacuum CVD furnace 1200ºC three heating zone high vacuum CVD system with 3-channel float flowmeter CY-O1200-50IIIT-3F-HVconsists of a three-heating zone tube furnace, a three-channel f...
Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜 Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料 Al2O3上镀Si薄膜 γ-Al2O3/Si硅基外延薄膜 γ-Al2O3/Si异质结构薄膜 Si/Al2O3/Si薄膜 Si+SiO2+Si(SOI基片) Si/SiO2/Si复合材料 Si/SiO2/p-Si结构材料 Pt/Ti/SiO2/Si Au/Cr/Si基片 ...
氮化硅（Si3N4）的制备是一个化学反应过程，反应方程式如下：3SiO2（s）+6C（s）+2N2（g）高温Si3N4（s）+6CO（g）。在这个过程中，氮气中的氮元素从0价被还原为-3价，充当氧化剂的角色，而碳元素则从0价升高到+2价，充当还原剂的角色。关于平衡常数，我们可以利用公式K=c6(CO)c2(N2)进行...
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:SiO2(s)+C(s)+N2(g)高温 Si3N4(s)+CO(g
1【题目】氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:_SiO2+__C+__N2_高温__ Si_3N_4+(CO)(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在横线内)2)该反应的氧化剂是_,其还原产物是;(3)若已知CO生成速率为 v(CO)=18mol⋅L^(-1)⋅min^(-1) ,则...
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英石与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得: SiO2+ C+ N2 高温 . Si3N4+ CO(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内);(2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 . 试题答案 考点:氧化还原反应方程式的配平 专题:氧化还原反应专题 分析:(1)分析...