解:3SiO2+6C+2N2((\;高温\;))/(\;)Si3N4+6CO中,氮化硅中氮元素的电负性大于硅元素,所以氮元素显负价,硅元素显正价,硅元素的化合价是+4价,化合物中各元素的化合价代数和为0,所以氮元素的化合价是-3价,(1)氮化硅中氮元素的化合价为-3价,二氧化硅中各元素的化合价不变,碳的化合价升高,氮元素的化合价...
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得: SiO2+ C+ N2 Si3N4+ CO (1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内); (2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 ; (3)若知上述反应为放热反应,则其反应热△H 零(填“大于”、“小于”或“等于”);升...
Si3N4蚀刻过程结束后,使用过氧化氢溶液去除残留的光刻胶。在此步骤之后,通过两个步骤沉积了一层3µm厚的SiO2层来封装样品。为了填充母线波导和微环之间的间隙而不产生气孔,首先采用温度为45°C的ALD沉积400 nm厚的SiO2层,然后采用PECVD在300°C的温度下沉积2.5µm厚的SiO2层。由于在Si3N4核心内有着严格的模...
在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用S...
SiO2+ C+ N2 高温 . Si3N4+ CO. (2)为了保证石英和焦炭尽可能的转化,氮气要适当过量.某次反应用了30mol氮气,反应生成了5mol一氧化碳,则此时混合气体的平均摩尔质量是 . (3)氮化硅陶瓷的机械强度高,硬度接近于刚玉(A12O3),热稳定性好,化学性质稳定.以下用途正确的是 ...
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:SiO2 + C+ N2 Si3N4 + CO(
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:SiO2(s)+C(s)+N2(g)高温 Si3N4(s)+CO(g
《Si/Si3N4/SiO2三元体系高温界面反应机理及润湿熔渗行为研究》是依托中国科学院理化技术研究所，由李江涛担任项目负责人的面上项目。项目摘要 在定向凝固多晶硅铸锭生产过程中，由于带Si3N4涂层的石英坩埚壁与硅铸锭发生粘连、污染而导致大尺寸Si铸锭中一级品切出率过低，是该行业长期未解决的技术难...
1. 绝大多数集成电路都是用半导体硅Si作为起始材料 2. SiO2有两个突出的用途。它的绝缘性可以作为保护膜使p-n结免受周围环境杂质的污染。此外，可以用作稳定的、高温掩模材料，能选择性阻挡施主或受主杂质进入不希望掺杂的硅片中。3. 对于绝缘隔离层，通常采用SiO2和Si3N4 .4. 掺氧的多晶硅薄膜也...
1. SiO2薄膜的工艺原理与方法：- 原理：SiO2薄膜的CVD基本原理是通过化学反应在基底表面沉积二氧化硅。常用的方法是使用硅源气体（如二甲基硅烷或氧化硅气体）和氧气在高温下进行反应。- 工艺方法：CVD过程中，将硅源气体和氧气引入反应室，经过化学反应生成SiO2气体，然后在基底表面发生凝结反应形成薄膜。