解析 机车的汽缸就是所谓的紧密的固体Si3N4吧. 看过金刚石的结构图吧,上述固体类似,特别见硬.他就是所谓的原子晶体,团结的紧,水火不侵! SiN4+H2O==条件===H2SiO3+NH3(自己陪平) Si3N4和O2===SiO2+NO2(自己陪平) 分析总结。 顺便再问一下为什么结构紧密的固体si3n4不再受水和氧气的侵蚀结果...
采用负性光阻(ma-N 2405)通过电子束光刻来图案化光学波导和微环。在显影后,采用含有CHF3(50 sccm)和O2(5 sccm)的蚀刻混合物,在15 mTorr和直流偏压240 V的条件下,通过感应耦合等离子体反应离子蚀刻完全蚀刻图案化的样品。图1d显示了100µm半径微环谐振器的扫描电子显微镜(SEM)图像,波导横截面为750 nm×1.8 ...
=3∶4,G的化学式为Si3N4。由题意,写出NH3与E反应的化学方程式为4NH3 3E===Si3N4 12HCl,所以E为SiCl4。(2)Si3N4与O2反应的产物
解析：SiCl4与NH3反应生成Si3N4的同时应该有HCl生成。由Si—N键的键能小于Si—O键的键能，Si3N4与H2O反应时，Si—N键向Si—O键转化，生成SiO2，同时应该有NH3生成。同样，Si3N4与O2反应时，产物应有SiO2生成，同时生成稳定的N2；而与MgO在一定条件下反应，生成结构紧密的SiO2覆盖在Si3N4固体表面，...
薄氮化物随后在ICP-RIE中使用CF4CHF3/O2化学物质进行刻蚀,然后在ICP工具中使用O2等离子体进行灰化,以去除刻蚀副产物。任何剩余的光刻胶都会被浸泡在热的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶液中并在异丙醇中清洗。我们另外在100°C的标准piranha清洁后进行碱性piranha(H2O:NH4OH:H2O2的5:1:2溶液)清洁,两种清洁溶液都是新...
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。用石英砂和原料气(含N2和少量O2)制备Si3N4的操作流程如图。已知:粗硅中含少量Fe、Cu的单质及其化合物;常温下氮化硅除与氢氟酸反应
答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 Si3N4 + 9H2O === 3H2SiO3 + 4NH3 ; Si3N4+6O2 === 3SiO2 +2N2希望采纳. 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 相似问题 化学方程式NH3+O2-->NO+H2O如何配平? 为什么结构紧密的固体Si3N4不再受H2O和O2的侵浊? 求铁在空气中同H2O与O2反应的化学...
【答案】 (1)3SiCl4+4NH3Si3N4+12HCl (2)Si3N4+6H2O===3SiO2+4NH3↑, Si3N4+3O2===3SiO2+2N2 (3)Si3N4与MgO在密闭容器中经高压,加热处理后,使Si3N4固体表面形成了一层SiO2的保护膜,阻止了Si3N4被H2O和O2侵蚀 SiCl4和NH3反应生成Si3N4的同时应有HCl生成。Si3N4与水反应生成SiO2,同时应用NH3...
然后,使用i线接触光刻技术对Si3N4波导进行图形化,再通过CHF3和O2化学刻蚀进行反应离子刻蚀(RIE),刻蚀速率为Si3N4为30 nm/min,SiO2为32 nm/min。制备的波导宽度为W = 1.4 ± 0.08 μm,在1532 nm波长处的传播损耗为0.14 dB/cm,该数据是通过参考加减环谐振器测得的。用于合并/分离泵浦和信号模式的多路复用...
最佳答案 回答者:网友 Si3N4 + 9H2O = 3H2SiO3 + 4NH3,相当于是水解反应Si3N4 + 3O2 = 2N2 + 3SiO2,一定要注意生成的是N2推荐: 乙酰胞嘧啶 Cas No: 14631-20-0 乙酰胞嘧啶 Cas No: 14631-20-0 n4-苯甲酰基胞嘧啶 Cas No: 26661-13-2 n4-苯甲酰基胞嘧啶 Cas No: 26661-13-2 我来...