新品2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板 开发EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板的目的是评估TO-247 PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000V碳化硅MOSFET。评估板是精确的通用测试平台，用于评估全系列CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列。该电路板设计灵活，可在不...
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在这一市场动向的引领下，全球半导体领先企业英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），于2024年9月重磅推出了CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列。这一创新产品不仅打破了2000V的碳化硅二极管分立器件技术壁垒，更将TO-247-2封装引入其产品阵容，与市场上大多数TO-247-2封装实现引脚兼容。该产品系列...
为了应对这一挑战，德国慕尼黑总部位于英飞凌科技股份公司推出了创新性的CoolSiC肖特基二极管2000V G5。这款产品是市场上首款击穿电压高达2000V的分立碳化硅二极管，特别适用于直流母线电压高达1500VDC的应用场景，其额定电流范围为10A至80A，非常适合太阳能、电动汽车（EV）充电等高直流母线电压领域的应用。该产品系列采用...
型号 Ailesic-2000 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要,瞻芯电子开发了2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。 关于产品 瞻芯电子依托浙江瞻芯6英寸SiC晶圆厂,基于Gen-2 SiC MOSFET技术和SiC SBD技术,...
SIC 2000V场限环终端结构是一种高耐压、高频率、高功率的FET结构,它采用碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为半导体材料。SiC具有高热导率、高击穿场强、高饱和速度等优点,使得SIC 2000V FET在高温、高压、高频和高功率环境下具有优良的性能。 SIC 2000V FET的场限环终端结构可以优化器件的耐压性能和降低表面电场强度。这...
2月28日,瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2),为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试,并在光伏客户导入验证。这款模块产品(IV3B20023BA2)尺寸与标准的Easy 3B封装相同,壳体高度仅12mm,能压缩应用系统的体积;不同之处在于,...
11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能,荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”,再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。 11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK...