在1500℃氧化30 h后,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层C/SiC复合材料的质量损失率约为10%,涂层表面氧化膜致密,无明显裂纹.高温烧蚀20 s后,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为1.0±0.3μm/s和1.1±0.2 mg/s,与单层Si C涂层相比分别降低了75.0%和50.0%,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层烧蚀后形成的ZrO2-SiO2...
图 2 为三种炭质原料制备的 C-SiC-B4C 复合材料的显气孔率和抗压强度。 龙源期刊网 http://www.qikan.com.cn (a) (b) 三种炭质原料制备出的 C-SiC-B4C 复合材料制品中,总体上而言,随着炭相含量的减少, C-SiC-B4C 复合材料烧结坯的显气孔率呈先减小后略有增大的趋势,对应的抗压强度先增大后 略...
B4C-SiC复合材料的制备及性能研究
SiC纤维为NicalonSiC纤维,反应气体主要采用BCI CH H。N:等高纯气体。 采用化学气相沉积法(CVD)在NicalonSiC纤维表面沉积 c涂层 CVD反应装置示意如图1。 化学气相沉积工艺条件为:沉积温度1373K,走丝速度 5min/m,H:/BCI3=3.5(体积比),Ba3/CH一L7(体积比),气 ...
首先通过陶瓷前躯体聚碳硅烷热解制备SiC,在研究的过程中发现聚碳硅烷的热解产物包括SiC和C,为了除去产生的C,分别通过添加Si粉和B粉使之在一定的温度下与C反应生成相应的SiC和B4C,研究发现:在1500oC时,Si粉与C可以反应生成SiC,B粉和热解产物中的石墨原位反应生成B4C,在1400℃时B粉和C可以反应生成B4C,1900℃时...
上海瑞华晟新材料有限公司申请一项名为"一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法"的专利,申请日期为2024-08-27。专利摘要显示,本发明涉及一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法,其包括提供SiC纤维预制体;将SiC纤维预制体放入管式炉反应室,抽真空后通惰性气体作为载气;关闭载气,
反应烧结SiC-B4C陶瓷材料的研究 维普资讯 http://www.cqvip.com
C-SiC-B4C复合材料烧结曲线的制定研究
SiC含量对机械合金化一热压制备B4C.SiC复合陶瓷的影响 张志晓,杜贤武,邢伟宏2,王为民,张金咏,傅正义 (武汉理工大学1.材料复合新技术国家重点实验室;2.材料科学与工程学院武汉430070) 摘要:以B4C、SiC粗粉为原料,采用机械合金化辅助热压烧结工艺,在不添加任何助烧剂的情况下于195O℃制备 ...
SiC 环比纯硅环更耐用,使用寿命更长,这有助于公司降低生产成本。SiC 环每 15 到 20 天需要更换一次,而硅环每 10 到 12 天需要更换一次。 三星现在正在寻找碳化硼(B4C)来替代 SiC。消息人士称,这家科技巨头目前正在与拥有 B4C 相关技术的合作伙伴合作,对 B4C 聚焦环进行质量测试。