摘要: 本文采用拉曼光谱方法对改进 Lely生长法制备的SiC单晶的结构进行了分析,结果表明:晶体的结构为6H,样品的内部缺陷较多,其中存在4H-SiC.另外我们还测量了SiC晶体 的高阶拉曼谱,并对其进行了分析归属.从分析结果来看拉曼光谱是研究SiC的晶体结构和生长质量有效快捷的方法.关键词:...
In SiC epilayers sp 3 C-H bond vibration bands were detected by infrared transmittance measurements. The absorption constants of the transmission peaks are related to the temperature at which the layers were grown and decrease with increasing growth temperature. The absorption centers vanish when the...
6月11日,广东汇成真空科技股份有限公司(以下简称汇成真空)在投资者互动平台表示,其与武汉理工大学签订了《碳化硅晶圆外延单片机热、流场设计的技术开发合同书》,合作内容为双方共同参与SiC晶圆外延单片机系统中真空系统、温场、气路系统的设计。 官网资料显示,汇成真空成立于2006年,是一家面向全球的真空应用解决方案提供...
株式会社电装(以下简称“电装”)宣布对Coherent Corp.(以下简称“Coherent”)的子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC注资5亿美元,并获得该公司12.5%的股权。这项投资将确保电装长期稳定采购SiC晶圆,以提高在电动化领域的竞争力。 随着电动汽车在全球碳减排措施中的加速开发和普及,汽车电动化所需的半导体需求也在迅...
专利名称 一种SiC沟槽MOSFET及其制造工艺 申请号 2020110343319 申请日期 2020-09-27 公布/公告号 CN112086361A 公布/公告日期 2020-12-15 发明人 夏华忠,黄传伟,李健,谈益民,吕文生 专利申请人 江苏东海半导体科技有限公司 专利代理人 闫日旭 专利代理机构 广东有知猫知识产权代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类...
随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器)的使用指南。本文为第三...
随着雷达探测技术的发展,飞行器的隐身性能成为影响其安全性以及战场生存与突防能力的关键因素.此外,伴随飞行速度的提高,飞行器受到的气动加热效应加剧,雷达波吸收材料在追求"轻,薄,宽,强"的同时,还具有耐高温和抗氧化的特点,碳基吸波材料和磁损耗型吸波材料已无法满足应用要求.碳化硅纳米线(SiCnw)具有优异的力学,抗...
3.1.1. Radiation Characteristics of SiC Elementary Particles The scattering characteristics of SiC spherical particles were analyzed when λ = 1~15 μm and the particle sizes were 0.1, 1.5 and 38 μm, respectively. The relationship between the simulated particle scale parameters (𝜒=𝜋𝑑/λ...
随着炎炎夏日的到来寻找一处清凉的亲水之地成为了许多人消暑解热的更佳选择。四川这片富饶的土地不仅拥有秀丽的山水风光更有众多令人心旷神怡的亲水景点。在这里你可尽情地在清澈的溪流中嬉戏感受山泉的冰凉或是乘坐竹筏顺流而下享受一场别开生面的水上游乐。以下是精心挑选的四川亲水游玩攻略,带你领略十大消暑必去...
夏日炎炎何处觅清凉?四川这片拥有丰富水资源和多样地貌的土地无疑是夏日玩水的好去处。本文将为您全面介绍四川玩水的旅游景点从热门景点到隐藏秘境再到亲子游精选推荐带您领略四川全方位的玩水魅力。 二、热门景点篇:四川玩水,必去之地 1. 九寨沟 作为四川的标志性景点之一,九寨沟的水景无疑是让人心驰神往的。这里...