在这项研究中,研究人员通过将B4C颗粒引入聚硅氧烷,成功制备了聚合物衍生的SiC/Si(B)OC陶瓷纳米复合材料。研究表明,B4C的加入对SiC的生长和碳的石墨化具有催化作用,从而建立了更高效的电导网络。具体而言,未添加B4C的样品在室温下的...
SiC/B4C复合材料 反应烧结 渗硅 断裂模式采用渗硅反应烧结工艺制备了SiC/B4C复合材料,并研究了碳含量对复合材料的力学性能及微观结构的影响。结果表明,SiC/B4C复合材料的力学性能(硬度、抗弯强度、韧性)随着碳含量的增加呈先增强后减弱的趋势。在碳含量为10vol%的条件下,复合材料的综合性能最佳,其硬度、抗弯强度...
B4C-SiC复合材料的制备及性能研究
上海瑞华晟新材料有限公司申请一项名为"一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法"的专利,申请日期为2024-08-27。 专利摘要显示,本发明涉及一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法,其包括提供SiC纤维预制体;将SiC纤维预制体放入管式炉反应室,抽真空后通惰性气体作为载气;关闭载气,向反应室内通入BCl3使其裂解释放出B,向反应...
C涂层,从而改变纤维的组成, 调节其电阻率和电磁参数。结果表明,SiC纤维进行涂层后,不 仅可以大幅度提高纤维单丝的强度,同时也可以有效地调节其 电阻率和电磁参数。在x波段,材料的介电参量 目随频率升 高而显著降低,具有很好的频散效应,同时材料妁介电损耗tg3 ...
图 2 为三种炭质原料制备的 C-SiC-B4C 复合材料的显气孔率和抗压强度。 龙源期刊网 http://www.qikan.com.cn (a) (b) 三种炭质原料制备出的 C-SiC-B4C 复合材料制品中,总体上而言,随着炭相含量的减少, C-SiC-B4C 复合材料烧结坯的显气孔率呈先减小后略有增大的趋势,对应的抗压强度先增大后 略...
三星现在正在寻找碳化硼(B4C)来替代 SiC。消息人士称,这家科技巨头目前正在与拥有 B4C 相关技术的合作伙伴合作,对 B4C 聚焦环进行质量测试。 B4C 硬度更高,这意味着它们的单位使用时间更长。然而,三星需要克服可靠性问题。消息人士称,在当前阶段,环表面出现了颗粒。
利用镁合金气氛保护熔炼炉实现熔体浸渗法制备高体积分数 SiC/B4C 复相增强镁基复合材料,该设备可避免镁合金的氧化和燃烧,保证镁 合金熔体充分浸渗; 5. 利用 X 射线衍射仪、扫描电镜+能谱仪+背散射仪、云纹光栅仪、 耐磨试验机等设备进行组织、结构与性能分析; 6. 南昌航空工业学院具有 X 射线衍射仪、扫描电镜...
据业界消息,硬度表现优秀的碳化硼(B4C)已成为三星的有力备选方案。B4C具有与SiC相似的硬度、耐磨性和化学稳定性,但其热导率和电导率等性能可能有所不同。目前,关于B4C聚焦环的质量测试正在进行中。 三、结语 SiC基聚焦环在半导体产业中具有广泛的应...
首先通过陶瓷前躯体聚碳硅烷热解制备SiC,在研究的过程中发现聚碳硅烷的热解产物包括SiC和C,为了除去产生的C,分别通过添加Si粉和B粉使之在一定的温度下与C反应生成相应的SiC和B4C,研究发现:在1500oC时,Si粉与C可以反应生成SiC,B粉和热解产物中的石墨原位反应生成B4C,在1400℃时B粉和C可以反应生成B4C,1900℃时...