SiC碳化硅单晶的生长原理 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量...
Provided is a silicon carbide single crystal substrate having adhered particles that cause crystal defects removed therefrom and has high surface cleanliness. A silicon carbide single crystal substrate wherein the density of first adhered particles having an adhesion height of 100 nm or more on one ...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体...
SiC碳化硅单晶的生长原理 碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体...
并以“低位错密度 8 英寸导电型碳化硅单晶衬底制备(Fabrication of 8-inch N-type 4H-SiC Single Crystal Substrate with Low Dislocation Density)”为题在《无机材料学报》发表(DOI: 10.15541/jim20230325)。 8英寸导电型4H-SiC衬底 8英寸导电型4H-SiC单晶衬底的螺位错和基平面位错密度及其分布 ...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。 SiC的晶体结构 SiC单晶是由Si和C两种元素按照1:1化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体...
The micropipe distribution of 6-inch n-type SiC substrate (only one micropipe) Full size image The LTV distribution of 6-inch n-type SiC substrate Full size image The dislocation density in the different stage of growth Full size image ...
An SiC single crystal ingot including a silicon carbide (SiC) single crystal formed on a seed crystal, a crystal growth end of a front end of the ingot having a convex shape. An SiC single crystal substrate cut out from a part of a relative height in a height direction of the ingot ...