碳化硅(SiC),顾名思义,是由碳元素和硅元素组成的一种半导体材料。通常,市场上大多见到的半导体芯片等基本都以硅为主要原材料。而碳化硅(SiC)能用来做半导体材料,主要是其具有耐高温、耐高频、耐高压的特性。 前段时间,某汽车技术发布会隆重召开,负责人在台上重点讲解了技术优势,其...
始于19世纪初期半导体材料的研究至今已经由第一代半导体材料发展到了第四代半导体材料,其中较为瞩目的莫过于第一代半导体材料si和第三代半导体材料sic了。大家是不是都有一样的好奇:si与sic除了应用方面的区别,…
碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解; 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子(硅也可以)形成最紧密堆积层,叫做A层。这时候会有两种位...
近年来，SiC 已成为半导体行业的重要角色，为 MOSFET、肖特基二极管以及用于高功率、高效率应用的功率模块供电。SiC 虽然比硅 MOSFET 更昂贵（硅 MOSFET 通常受限于 900V 的击穿电压），但 SiC 可实现接近 10kV 的电压阈值。SiC 还具有极低的开关损耗，能够支持高工作频率，从而实现目前无与伦比的效率，尤其是在工...
- 诊断标准:主要依赖临床表现和实验室检查,国际标准化组织(ISTH)评分系统常用于DIC的诊断。 - 治疗:主要针对原发病因,同时应用支持治疗(如输血、抗凝治疗等)。 SIC - 诊断标准:结合脓毒症的诊断标准和凝血功能障碍的表现。 - 治疗:主要包括控...
碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,具有1X1共价键的硅和碳化合物,其莫氏硬度为13,仅次于钻石(15)和碳化硼(14)。据说,SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中,发现了少量这种物质,所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。
作为在碳化硅SiC技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商,我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。出色的可靠性、多样性和系统优势。来自英飞凌的碳化硅技术。
一文看懂SiC功率器件 一、什么是SiC半导体？1. SiC材料的物性和特征 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶...
从本质上讲，碳化硅（SiC）被认为是一种宽带隙半导体，与传统的硅半导体相比，它具有固有的优势。SiC的这些材料特性可带来更高的性能：细分领域电子漂移速度导热系数 细分领域 更高的击穿场允许器件在给定区域承受更高的电压。这使得器件设计人员能够在相同的芯片尺寸下增加用于电流流动的面积，从而降低给定面积Rsp的器件...
根据半导体材料的能隙宽度，可以将其分为三代：第一代半导体：以硅（Si）为代表，能隙宽度约为1.1电子伏特（eV），适用于低压低频的场合，如微处理器、存储器等。第二代半导体：以砷化镓（GaAs）为代表，能隙宽度约为1.4 eV，适用于中压中频的场合，如激光器、太阳能电池等。第三代半导体：以氮化镓（GaN）...