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瞻芯单通道低侧栅极IGBT驱动mos驱动芯片8引脚集成负压偏置驱动器 ￥1.00 查看详情 瞻芯感应加热电源碳化硅功率模块SOT227封装1200V 50毫欧+20A SBD ￥1.00 查看详情 国产碳化硅1700V1000mΩ SiC MOSFET高压低导通电阻MOS管 ￥9.90 查看详情 瞻芯电子车规级碳化硅MOS管650V40毫欧TO-247-3封装 ￥3.33 查看详情 ...
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碳化硅MOS管 瞻芯电子 二代 SiC 场效应二极管 1200V 40mΩ ups 电源 ￥63.00 本店由搜了网运营支持 获取底价 上海奥思维尔电子有限公司 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 型号 IV1Q06040L1 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 650V 导通电阻 40mΩ ...
SiC作为宽禁带半导体之一，在人们的探索和研究中逐渐走进了功率器件的舞台，并凭借其比Si材料更高的禁带宽度、击穿场强和热导率等优良特性，打破了Si材料的极限，在高电压等级和大功率电能变换应用中体现出了较低的功率损耗、更高的开关频率等优越性能，具有极大的潜力。来源： SIC碳化硅MOS管及功率模块的应用 ...