1.驱动电平与驱动电流的要求 SiC MOS器件选择时，应优先考虑具有较大峰值输出电流的驱动芯片。同时，若输出脉冲具备较快的上升和下降速度，则驱动效果更佳。这意味着，驱动芯片的上升和下降时间参数均需较小。2.满足较短死区时间，保证逆变系统具有更高的输出电压质量；3.芯片所带的保护功能：短路保护&有源米勒箝位...
SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)栅源极过电压的主要原因可分为以下两点: 1. 驱动电路性能不稳定,导致输出电压超过了栅源极电压; 2. 当SiC MOSFET应用于桥式电路时,在某一开关管的开关瞬态下,另一开关管的栅源极电压,可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。 为确保SiC MOSFET的正常运行,一般需...
SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)栅源极过电压的主要原因可分为以下两点: 1. 驱动电路性能不稳定,导致输出电压超过了栅源极电压; 2. 当SiC MOSFET应用于桥式电路时,在某一开关管的开关瞬态下,另一开关管的栅源极电压,可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。 为确保SiC MOSFET的正常运行,一般需...
更短的管芯到引线、键合线连接，加上模制无引线封装 (MLP)，对于最大限度地减少驱动器侧的寄生电感至关重要。驱动器和 MOSFET (DrMOS) 共封装是减少寄生电感、提高效率和缩小电路板面积的最新步骤。DrMOS 等改进所涉及的电压相当低，因此可以实现。在高压转换器领域，爬电距离和电气间隙等最小间距要求使得高性能...
相比传统的硅MOSFET,SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiC MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而,SiC MOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。
当产生串扰电压后通过电压比较器与2V进行比较,大于2Vmos管导通从而抑制串扰;二是采用如图5所示的串扰抑制电路,原理是增加栅源极电容与栅漏极电容的比值,也可以分担一部分米勒电流使栅极电压小于阈值电压;三是在图5电路的基础上进行了一些改进,采用如图6所示的串扰抑制电路,当串扰发生时,驱动电路将米勒电流分流到地...
为了满足上述要求,本文将介绍一种优化后的SiC MOS管驱动电路设计方案。该方案采用了脉冲宽度调制(PWM)控制方式,以实现高效能量传输和精确的电流控制。同时,该驱动电路使用了高速光电耦合器以提高响应速度,并增加了过流、过压保护功能以保护SiC MOS管。具体而言,该驱动电路由三部分组成:电源模块、PWM控制器和高速光耦。
相比传统的硅MOSFET,SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiC MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而,SiC MOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。
可以看出，基于以上工况，同样的温度条件下，30mohm的器件输出电流比40A IGBT提高了10A，哪怕换成小一档的60mohm SiC MOSFET，输出电流也能提升约5A。而相同电流条件下，SiC MOSFT的温度明显降低。综上所述，SiC开关器件能为电机驱动系统带来的益处总结如下：更低损耗‒降低耗电量，让人们的生活更加环保、可持续。
驱动开通的正压和关断的负压,昕感科技的SiC MOSFET单管的驱动电压有+18V/-5V,+18V/-4V,+20V/-5V三种。建议参考规格书中VGSop。 正压:建议使用规格书推荐的+18V/+20V驱动电压。过低的正压,比如适合硅基材质的+15V,RDS(on)会增大,如图1所示,增加导通损耗。超过推荐的+18V/+20V正压驱动碳化硅MOSFET是不必要的...