SiC器件与Si器件相比,在材料、结构等方面有所不同,在器件特性上也存在一些差异,因此不能用现有的Si基功率器件的驱动电路来直接驱动SiC功率器件,后者的驱动电路需专门设计。在SiC开关过程对驱动电路的要求,需要对驱动电压、栅极电阻、桥臂串扰抑制和短路电流保护等问题进行设计。 与Si MOSFET有较大区别的是,当SiC MO...
首先,SiC MOS管的阈值电压较高,通常需要一个高压驱动电路来使其正常工作。其次,SiC MOS管的开关速度很快,这就要求驱动电路具有快速的响应能力。此外,驱动电路还需具备保护功能以防止过流、过压等异常情况对SiC MOS管造成损害。为了满足上述要求,本文将介绍一种优化后的SiC MOS管驱动电路设计方案。该方案采用了脉冲宽...
驱动电路原理 基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路,该电路由输入驱动信号调理电路、驱动保护电路和故障反馈电路等三部分构成。 输入驱动信号调理电路对脉冲使能信号等进行缓冲、整形处理,来提高输入驱动信号的质量;驱动保护电路对输入驱动信号进行放大,来驱动SiC MOSFET的导通与关断以及在SiC MOSFET...