当产生串扰电压后通过电压比较器与2V进行比较,大于2Vmos管导通从而抑制串扰;二是采用如图5所示的串扰抑制电路,原理是增加栅源极电容与栅漏极电容的比值,也可以分担一部分米勒电流使栅极电压小于阈值电压;三是在图5电路的基础上进行了一些改进,采用如图6所示的串扰抑制电路,当串扰发生时,驱动电路将米勒电流分流到地上...
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）栅源极过电压的主要原因可分为以下两点：1. 驱动电路性能不稳定，导致输出电压超过了栅源极电压；2. 当SiC MOSFET应用于桥式电路时，在某一开关管的开关瞬态下，另一开关管的栅源极电压，可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。为确保SiC MOSFET的正常运行，一般...
SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)栅源极过电压的主要原因可分为以下两点: 1. 驱动电路性能不稳定,导致输出电压超过了栅源极电压; 2. 当SiC MOSFET应用于桥式电路时,在某一开关管的开关瞬态下,另一开关管的栅源极电压,可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。 为确保SiC MOSFET的正常运行,一般需...
其中,SiC MOS管因其高开关速、低导通电阻和低热阻等优势,成为了电力电子电路中的重要组成部分。然而,要充分发挥SiC MOS管的潜力,需要设计一个高效的驱动电路。SiC MOS管的驱动电路设计需考虑多种因素。首先,SiC MOS管的阈值电压较高,通常需要一个高压驱动电路来使其正常工作。其次,SiC MOS管的开关速度很快,这就...
驱动开通的正压和关断的负压,昕感科技的SiC MOSFET单管的驱动电压有+18V/-5V,+18V/-4V,+20V/-5V三种。建议参考规格书中VGSop。 正压:建议使用规格书推荐的+18V/+20V驱动电压。过低的正压,比如适合硅基材质的+15V,RDS(on)会增大,如图1所示,增加导通损耗。超过推荐的+18V/+20V正压驱动碳化硅MOSFET是不必要的...
同样，栅极驱动器 IC 封装也“瘦身”明显。更短的管芯到引线、键合线连接，加上模制无引线封装 (MLP)，对于最大限度地减少驱动器侧的寄生电感至关重要。驱动器和 MOSFET (DrMOS) 共封装是减少寄生电感、提高效率和缩小电路板面积的最新步骤。DrMOS 等改进所涉及的电压相当低，因此可以实现。在高压转换器领域，...
SiC MOSFET 对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大,以缩短米勒平台的持续时间使驱动脉冲前后沿足够陡峭,尤其在多管并联的工况下; ②驱动回路的驱动电阻要小,导通时能够快速对栅极电容充电,关断时栅极电容能够快速放电,以加快 SiC MOSFET 的开关响应速度; ③为了保证 SiC MOSFET 可靠触发导通,栅极驱动电压应...
相比传统的硅MOSFET,SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiC MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而,SiC MOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。
△图2:负压关断驱动电路(方案一) D4的稳压值选择取决于驱动负压大小。安徽芯塔电子第二代SiC MOSFET典型关断负压为-5V,因此D4稳压值的选取5V,例如VISHAY PTV4.7B(D0-220A封装,Vz=5V)。根据稳压管推荐的反向工作电流来计算限流电阻R1和R2。选取Iz=40mA,那么R1//R2=(25V-5V)/ 40mA=500 ohm。经计算R1和...
驱动电压:SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si MOSFET高,驱动电压一般为-5~+24V,然而,开启电压仅仅只有2.5V,只有电压达到18~20V这个区间才能使SiC MOSFET完全开通。 驱动电路需要提供足够的电压来确保SiC MOSFET能够充分导通和截止,因为较高的开通电压可以有效减小开通损耗。同时,驱动电路需要具备过压保护功能,为了避免过高...