2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高,未来3～5年内,碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用,未来5年内驱动碳化硅器件市场增长的主要因素将由碳化硅二极管转变为碳化硅MOSFET,因此至2024年其市场规模将大幅增长,占整体碳化硅功率器件市场的50%,市场规模超10亿美元。
下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。 该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止HS和LS同时导通,设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。 该电路中HS和LS MOSFET的Drain-Source电压(VDS)和漏极电流(ID)...
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JFET效应,从而增加通态电阻;同时,这种结构的寄生电容...
类似的,文献将 SiCMOSFET芯片嵌入 PCB 内部,形成如图 10(b)所示的 3D 封装形式。芯片表面首先经过镀铜处理,再借由过孔沉铜工艺将芯片电极引出,最后使用PCB 层压完成多层结构,图 10(c)为实物模块。得益于PCB 的母排结构,模块回路电感仅有 0.25nH,并可同时实现门极的开尔文连接方式。该封装的功率密度极高,如何保证...
一个2W隔离电源,用以支持较大MOSFET在较高频率下工作。 单独的栅极导通和关断电阻器,并带有专用二极管,支持用户定制和优化导通与关断信号。 逻辑电源输入上的共模电感器可增强EMI抗扰度。 图8:CGD15SG00D2栅极驱动器参考设计的高级框图显示了其主要功能模块:光耦合器U1、栅极驱动器ICU2和隔离电源X1。(图片来源:Cre...
下面给出的电路图是在桥式结构中使用 SiC MOSFET 时最简单的同步式 boost 电路。该电路中使用的 SiC MOSFET 的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止 HS 和 LS 同时导通,设置了两个 SiC MOSFET 均为 OFF 的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。。
图1:硅基超结、GaN HEMT、碳化硅(SiC平面式或沟槽式 MOSFET)和 SiC 沟槽式 JFET(结型场效应晶体管)中最常用的 650V 晶体管器件体系结构。大部分功率器件都是垂直的,为大电流电极提供空间。GaN HEMT 为横向器件,两个功率电极都位于上表面 UnitedSiC FET 使用图 2 所示的共源共栅结构,将低成本的25V 硅 MOSF...
在特征方面，Si-DMOS存在导通电阻方面的挑战，通过采用SJ-MOSFET结构得以改善。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优秀，但存在开关速度的挑战。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度等方面表现出色，特别是在高温条件下的工作表现良好，是一款具有显著优势的开关元件。三、SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别 本文重点阐述...