sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化...
CoolSiC™ MOSFET模块技术采用不同封装和拓扑 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅(SiC)半导体用作开关时,支持更高的工作温度和开关频率,从而提升整体系统效率。此外,碳化硅(SiC)功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ,可针对不同的应用...
sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSF...
Infineon AN2007-04. How to calculate and minimize the dead time requirement for IGBT’s properly. Infineon AN2017-46. CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET Application Note
MOSFET (Si/SiC) 高壓直流 / 直流轉換器 大家好 感謝您花時間查看我的問題。 我對使用 Infineon 產品的新手,但對可用的設計資源量感到非常印象深刻。 我有一個應用程序,我需要將 800 VDC 轉換為 250 VDC,1250 瓦輸出。 負載是固定電阻負載,不會變化。 我正在考慮為此應用程序使用 buck 轉換器...
SiC MOSFET是高频器件，不管是上升还是下降过程中的电压变化率dv/dt都远大于IGBT，这要求芯片本身具有较高的抗干扰度。常用于评估驱动芯片抗扰度的参数为共模抑制比CMTI，是衡量驱动芯片是否适用于SiC MOSFE的标准之一。3、更高的绝缘等级 拓扑结构的不断发展需要引入新的电压等级。比如，2kV SiC MOSFET可将1500VDC...
(来源于Infineon方案) 尺寸 278.0mm x 177.8mm x 63.5mm 体积:3139 立方厘米 208mm x 89mm x40mm 体积:740立方厘米 我们可以看出使用SiC MOSFET技术后,体积缩小了很多。 当然,不是所有应用都追求更小体积的,还有成本,研发周期等多种因素的考量。MEAN WELL CSP-3000-400 也不是为了缩小体积而设计,同时有着别...
为SiCmosfet选择栅极驱动IC时的关键参数 Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC)mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率 wanglq20112023-06-16 06:04:07
其中2021年ST Revenue usd450M=RMB28.747亿元;2021年Infineon Revenue usd248M=RMB15.843亿元;2021年Wolfspeed Revenue usd165M=RMB10.541亿元;2021年ROHM Revenue usd108M=RMB6.900亿元;2021年ONSEMI Revenue usd78M=RMB4.983亿元 细分市场电动汽车2028年约84064亿人民币的市场容量...
现在采用SiC的材料，原来Mosfet结构也能达到IGBT的耐压能力。所以从发展角度来说，两者是Si Mosfet基础上...