英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。
碳化硅(SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性,助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。 CoolSiC™产品 英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的...
sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSF...
下图表以近20年来Si mos 产品的发展上,在Rdson 约在2016年左右就遇到瓶颈,而近年来发展第三代半导体后,SiC mos 已突破此瓶颈,来到更低的Rdson , 有效再提升高功率产品的应用,且产品体积也有效的缩减。 Infineon Si与SiC MOSFET 产品趋势及应用 由于在目前市场上需要再做更高功率且效率提高和产品体积缩小的要求...
英飞凌infineon CoolSiC MOSFET 窗口指南.pdf,AN2018-09_ZH CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压窗口指南 关于本文档 英飞凌科技致力于以全面的半导体能力提升电气系统性能。我们的专业知识体现在我们的产品及其在相关 使用条件下的表现,也体现在我们分享最新半导体技术知识的
SIC MOSFET 的能量值提取 Translation_Bot Community Manager 跳至解決方案 檢視原始內容: English | 原始作者: Kumarsiva 這是機械翻譯的內容 嗨, 當天的問候。 我目前正在參與使用 PLECS 評估 SIC MOSFET 的能量損耗,通常,我們利用 XML 檔案來實現此目的。 然而,值得注意的是,XML 檔案可能不適用於所有 MOSFET。
提取SIC MOSFET 的能量值 Translation_Bot Community Manager 查看原创内容: English | 原作者: Kumarsiva 这是机器翻译的内容 嗨, 今日问候 我目前正在使用 PLECS 评估 SIC MOSFET 的能量损失,通常我们使用 XML 文件来实现这一目的。 但值得注意的是,并非所有 MOSFET 都有 XML 文件。 此外,还可以使用 Eon 和 ...
SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiCSBD(碳化硅肖特基势垒二极管)是两种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于 2024-09-10 15:19:07 SemiQ 1200VSiCMOSFETModule说明介绍 SiCMOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它结合了MOSFET(金属-...
如果一个SiC MOSFET使用了Vgs=-5V~20V的门极驱动电压，那么就要求前级驱动芯片的输出电压至少是25V，再加一定的余量，一般取35V~40V之间比较合适。2、更高的共模抑制比 SiC MOSFET是高频器件，不管是上升还是下降过程中的电压变化率dv/dt都远大于IGBT，这要求芯片本身具有较高的抗干扰度。常用于评估驱动芯片抗扰...
Infineon推出了革命性的CoolSiC™MOSFET技术,实现了全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET提供了一系列优势,包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。采用分立封装,提供从400 V到2000 V的CoolSiC...