sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化...
英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。
sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSF...
型号 IMBF170R1K0M1XTMA1 CoolSiC™ 1700 V SiC Trench M 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格...
infineon公司的评估板Eval-M5-E1B1245N-SiC是7.5 kWCoolSiC MOSFET马达驱动器,包括有三相SiC功率模块,和装备了M5 32引脚接口连接器如XMC 2021-03-24 18:02:47 【方案精选】高效节能为匠心而生,大联大推出基于Infineon的700W电动扳手整体解决方案 【方案精选】高效节能为匠心而生,大联大推出基于Infineon的700W电...
图2 450A/1.2kV Trench-FS IGBT开通时间不同时的关断特性 由图1和图2可知,对于最小开通时间的影响没有统一的结论。这里给出的建议是,在实际应用中,根据出现的问题调整IGBT和二极管的最小开通时间。这种调整的基本原则是,用一个5～10μs的最小开通时间作为参考点。有时IGBT模块的数据手册会标识出续流二极管的最...
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features ∙ Very low switching losses ∙ Threshold-free on state characteristic ∙ Wide gate-source voltage range ∙ Benchmark gate threshold voltage, V GS(th) = 4.5V ∙ 0V turn-off gate voltage ∙ Fully controllable dV/dt...
Infineon推出了革命性的CoolSiC™MOSFET技术,实现了全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET提供了一系列优势,包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。采用分立封装,提供从400 V到2000 V的CoolSiC...
Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSi^(TM)C1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-2637L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有...
参考设计包涵了CoolSiC™MOSFET和集成的Infineon驱动器集成电路,XMC控制器,反激控制器,电压稳压器MOSFET,电流传感器,Cypress存储器以及安全芯片.参考设计外形尺寸为33.1mmx13.4mmx6mm,功率密度为4.1W/cm³(5.5W/g).本文介绍了CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFETIMZ120R030M1H主要特性,最大额度指标和1200V单路高边...