本课题以美国CO N CEPT公司的SIC 1182K为驱动电路主芯片，以德国英飞凌公司的 大功率 SiC MOSFET模块 FF6MR12W2M1_B11 为驱动控制目标，设计了满足使用要求的SiC MOSFET驱动电路。1驱动电路设计关键 材料特性差异决定了功率器件工作需求有 所区别，用Si M O S F E T驱动电路来驱动SiC M O SFET是不合理的「...
No.12 December 201 8 SiC MOSFET建模及驱动电路设计 刘帆 ,朱德 文 ,吴钫 ,叶杰 (1.华中科技大学,自动化学院,湖北 武汉 430074; 2.中核兰州铀浓缩有限公司,甘肃 兰州 730065) 摘要 :碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带半导体材料 ,拥有 良好 的高频开关性能,能够有效提升...
大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计.pdf,52 11 Vol52 No11 2015 6 10 Electrical Measurement Instrumentation Jun10 2015 Design of high power SiC MOSFET driver circuit School of Electrical and Electronic Engineering North China Electric Power University Baoding 0
与上述方法相比,有源驱动电路(Active Gate Driver, AGD)是在常规驱动电路(Conventional Gate Driver, CGD)基础上增加由有源器件构成的电路,在SiC MOSFET开关过程的特定阶段改变驱动电路的结构,从而对SiC MOSFET的开关性能进行优化[14],受到了国内外学者的广泛研究,相继提出了变栅极电阻[15-16]、变栅极电压[17-18]...
关键词:SiCMOSFET;开关特性;驱动电路;双脉冲实验中图分类号:TM13 文献标识码:B 文章编号:1001-1390(2015)11-0074-05Design of high power SiC MOSFET driver circuitPengYonglong,LiRongrong,LiYabin(School of Electrical and Electronic Engineering, North China Electric PowerUniversity, Baoding 071003, Hebei, ...
基于SiCMOSFET 的驱动电路设计 目录 设计总说明5 General design description6 第章 绪论8 1.1课题研究的背景和意义8 1.2碳化硅 (SiC)功率器件的发展现状8 1.3碳化硅 (SiC)MOSFET应用技术研究综述12 1.4论文主要研究内容13 第二章 新型碳化硅 (SiC)MOSFET驱动电路设计13 2.1传统MOSFET驱动电路14 2.2商用碳化硅 (SiC)...
谐振辅助驱动电路如图1所示,图中,SiC MOSFET的等效模型由栅漏极结电容Cgd、栅源极结电容Cgs、漏源极结电容Cds组成,Rg为栅极驱动电阻,RCD回路由电容Cq、Cp和电阻Rq、Rp组成,通过Rq和Rp的比值可以实现电容Cq和Cp的分压,从而实现电源模块仅提供正电压便可进行负压关断和正压开启。同时增加了辅助电路以实现在负压串扰...
极驱动电路参数及短路保护电路参数的准确性和合理性。关键词：SiC MOSFET ； |'1极参数；双脉冲测试；桥臂直通短路 中图分类号：TP272 文献标志码：A 文章编号：1001-6848(2019)12-0070-04 Design of SiC MOSFET Driver and Protect Circuit LIU Zhouzhou (Xi' an Micromotor Research ...
sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 子类别 碳化硅 MOSFET 单管 碳化硅 MOSFET 模块 碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。 英飞凌运用丰富的经验和相关的专业知识,推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,这种技术能够实现全新的产品设计。与IGBT和MOSFET等传统的硅基开关相比,碳化...
SiC MOSFET transistors must be controlled by a dedicated circuit called 'gate driver' which ensures the switching orders transmission, the users' safety and the switching cell integrity. The design of a gate driver dedicated to a SiC MOSFET module for applications up to 1200 V is described in ...