1、数据表第一项(Maximum ratings ,最大额定值)第一个参数(Drain-source voltage,VDSS,漏源电压), 测试条件:结温25℃;其值1200V;每家均有; 其含义为漏源额定电压最大值为1200V。 2、漏源击穿电压(Drain-Source Breakdown Voltage,V(BR)DSS), 测试条件为:结温25℃,栅源短接,漏极电流为一定值(如1mA);其...
SiC MOSFET provides high breakdown voltageSusan Nordyk
第一个可靠性问题可通过智能筛选、TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown)试验和马拉松试验,智能筛选措施可以将SiC MOSFET降低至与Si MOSFET相同等级的低故障率,此前已通过《TDDB试验》证明派恩杰SiC MOSFET寿命远超20年,通过《马拉松试验》证明在正常运行20年的时间内派恩杰SiC MOSFET失效PPM为个位数。 第二个可靠性...
早在去年3月,特斯拉宣布在Model 3中完全使用SiC后,SiC这一近期电力电子领域的宠儿就获得了巨大的关注。自2010年Cree将SiC MOSFET商业化以来,SiC的需求稳步上升,主要参与者利用《CHIPS法案》提供的税收减免来扩大业务,降低每片晶圆的成本。例如,Wolfspeed(前身为Cree)...
電力密度を向上させる新しい上面冷却型HU3PAKパッケージで提供されるSiC MOSFET オンデマンド･ウェビナー このオンデマンド･ウェビナーでは、新しい上面冷却型HU3PAKパッケージで提供されるSTの第3世代SiC MOSFETが設計のレベルをどのように引き上げる...
NVH4L020N120SC1 单极性N型高电压SiC MOSFET 说明书
栅-源阈值电压gate-sourcethresholdvoltage V GS(th) 漏极电流值达到规定低值时的栅-源电压。 1 漏-源通态电阻drain-sourceon-stateresistance rDS(on) 在规定的栅极电压、温度且忽略内部耗散条件下的最大值。 漏-源击穿电压breakdownvoltage,draintosource ...
超结(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来,在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件,我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。 SJ MOSFET 让我们研究一下导致平面Si N-MOSFET导通电阻(RDS(ON))的因素,如图1所示,以...
voltage and switching frequency conditions. The CoolSiC MOSFETs offer a higher DC link voltage so that the power can be increased without increasing the current. It is the first discrete silicon carbide device with a breakdown voltage of 2000 V on the market and comes in a TO-247PLUS-4-HCC...
采用最新一代SiC MOSFET设计功率变换器应该认真考虑器件的可靠性和鲁棒性,避免让异常失效现象破坏系统的整体安全性[3],[4]。短路和雪崩是可能导致电源转换器开关管严重失效的异常事件[5],[6]。 短路事件可能是错误和失控的工作条件引起的,例如,器件开关顺序命令出错。当漏源电压VDS超过击穿电压额定值时,会发生雪崩...