3、SiC MOSFET 驱动选型及设计要点 Ø(1)驱动电路的设计 A.驱动电流 驱动IC 一般是通过拉电流(source current)和灌电流(sink current)来给栅极电容充放电,从而实现MOSFET或 IGBT 的开关的。为了实现SiCMOSFET 快速开关的特性,以达到更低的开关损耗和更高开关频率,通常会需要更大的驱动电流。驱动芯片手册通常会标...
此外，NCP51705 具备使用最少的外部组件设计可靠的 SiC MOSFET 栅极驱动电路所必需的几个独特特性（在 TND6237/D 中的分立 SIC 栅极驱动部分的开头列出）。NCP51705 独特特性的优点将在下一节详细介绍。过电流保护 − DESAT NCP51705 DESAT 功能的实现只需使用两个外部组件。如图 33 所示，通过 DESAT 引脚的 R1...
图32:NCP51705 SiC 栅极驱动器框图 此外,NCP51705 具备使用最少的外部组件设计可靠的 SiC MOSFET 栅极驱动电路所必需的几个独特特性(在 TND6237/D 中的分立 SIC 栅极驱动部分的开头列出)。NCP51705 独特特性的优点将在下一节详细介绍。 过电流保护 − DESAT NCP51705 DESAT 功能的实现只需使用两个外部组件。如...
栅极驱动电路是控制SiC MOSFET开关动作的核心部分，其性能直接影响到MOSFET的工作效率和可靠性。一个基本的栅极驱动电路包括栅极信号（VG）、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻（RG_INT）、封装的源极电感量（LSOURCE）、栅极电路局部产生的电感量（LTRACE）以及外加栅极电阻（RG_EXT）。在等效电路图中，栅极电流（IG）和...
栅极驱动电路的设计要求 为了补偿器件低增益，同时实现高效、高速的开关，对SiC 栅极驱动电路有以下关键要求。● 对于大多数SiC MOSFET，驱动电压在-5 V >VGS > 20 V 之间时性能最佳。栅极驱动电路应能承受VDD = 25 V 和VEE = -10 V，以适用于最广泛的可用器件。● VGS 必须有快速的上升沿和下降沿( 在几...
LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。 右图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号(VG)、SiC MOSFET...
借助CoolSiC MOSFET技术,英飞凌允许设计人员在18 V至15 V之间选择导通栅极电压,从而将开关配置为分别具有最高的载流能力或短路耐用性。另一方面,关断栅极电压电平仅需确保器件保持安全关断状态。 英飞凌鼓励设计人员在0 V电压下工作其分立MOSFET,并受益于简化栅极驱动电路。为强调这一鼓励,本文介绍了一种易于再现的方法...
对于SiC MOSFET 的一般驱动考虑随着系统功率和频率增加,栅极驱动功率要求也会提高。设计人员应确保驱动器具备足够的驱动能力保证 MOSFET 完全导通。保持栅极驱动器内部 FET RDS(on)处于低位以及更高的电流输送和更快的开关速度,但是总驱动平均功率要求取决于开关频率、总栅极电荷(以及任何其置于栅极上的电容)、栅极电压摆...
碳化硅(SiC)MOSFET的使用促使了多个应用的高效率电力输送,比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅(Si)MOSFET和IGBT更为出色,但驱动方式却不尽相同,必须要在设计过程中进行缜密的思考。
栅驱动SiC MOSFET凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带,高击穿电场,高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压,高频等大功率场合.传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术.目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC ...