图1 功率器件工作状态简图 短路(SC)与非钳位感性负载开关(UIS)失效的基本原理 1. 短路(SC)失效的基本原理 与以前的Si基IGBT相比,SiC MOSFET拥有更低的导通电阻、更高的阻断电压和工作结温,并且在关断过程中SiC MOSFET几乎没有拖尾电流,这可以降低开关损耗,提高开关速度,更快的开关速度意味着更大的du/dt电压变化率...
短路(SC)与非钳位感性负载开关(UIS)失效的基本原理 1. 短路(SC)失效的基本原理 与以前的Si基IGBT相比,SiC MOSFET拥有更低的导通电阻、更高的阻断电压和工作结温,并且在关断过程中SiC MOSFET几乎没有拖尾电流,这可以降低开关损耗,提高开关速度,更快的开关速度意味着更大的du/dt电压变化率[2-4]。当器件导通时,同...
当发生短路故障时, SiC MOSFET 端电压迅速升高, 检测二极管 D1 阴极电位逐渐升高, 由于二极管 D1 仍处于正向偏置, 故其阳极电位也随之升高,导致电容 C1 端电压升高。当 C1 端电压超过参考电压时, 比较器输出高电平, Q 变为高电平, 驱动芯片停止工作, 同时 SiC MOSFET 软关断。 正常情况下,当驱动信号为低电...
硅MOSFET有一个较小的“尾”电流,充当阻尼器或缓冲器,可在某种程度上减少过冲和瞬时振荡。SiC MOSFET没有这种尾电流,因此漏极电压过冲和瞬时振荡可能较高并造成问题。要减少这些寄生效应,需要特别注意电路布局问题,尽量缩短导线长度,并将驱动器放置在尽可能靠近其功率器件的地方。即使几厘米长也可能很重要,因为当SiC...
驱动电路原理如图 2 所示。ACPL-355JC 为光耦隔离驱动模块,具有最大 2 262 V 的工作绝缘电压,能完美实现功率电路和驱动电路的电气隔离功能; 最高开关频率可达 1 MHz,最大传输延迟时间只有 150 ns,能够满足 SiC MOSFET 高频通断的要求。ACPL-355JC 有两个故障报告机制,即正输出电源电压 ( VDD2) 的欠压保护...
由于SiC MOSFET的开尔文源极和电源Lss'之间存在寄生电感,因此存在以同步方式突然升高电压的高端可能性,该寄生电感最终将由电压的上升反映出来。图2显示了四引脚SiC MOSFET的等效电路。 图1:导通期间的开关波形 图2:等效电路 准Vth测量电路及其工作原理 图3显示了完整的过程,通过新颖的方法提取准确的准Vth,取决于在电...
WBG半导体使高压转换器能够在更接近低压转换器(低于100V)开关频率的情况下工作。对于低压转换器而言,半导体封装的发展对当今开关性能的实现起到了关键作用。硅MOSFET封装取得了进步,例如双面散热、夹焊、热增强功率封装和低电感、无引线封装。同样,栅极驱动器IC封装也“瘦身”明显。更短的芯片到引线、键合线连接,加上...
对采用碳化硅(SiC)MOSFET 作为开关元件,且使用绝缘变压器的三相输出的 5kW LLC 谐振类型 DC/DC 转换器进行介绍。依靠 SiC MOSFET 所具有的 1200V 的耐压特性,输入电压可以提高到 800V,晶体管的开关频率为 600V 时,约为 200kHz,800V 时,为 160kHz,可以大大降低绝缘变压器和输入输出电容的大小。另一方面,为了改...
从上图可以看出,SiC的本征载流子浓度远远低于Si器件,因此SiC器件用到六七百度也是可以正常工作的(当然前提是封装也需要能够耐受住这么高的温度) 总结 宽禁带器件具有的高击穿场强使得高耐压、低损耗的MOSFET成为可能。其优秀的导热性能以及耐高温的特点更是锦上添花,目前宽禁带器件成本还比较贵,所以只在小规模内使用。
图1 功率器件工作状态简图 短路(SC)与非钳位感性负载开关(UIS)失效的基本原理 1. 短路(SC)失效的基本原理 与以前的Si基IGBT相比,SiC MOSFET拥有更低的导通电阻、更高的阻断电压和工作结温,并且在关断过程中SiC MOSFET几乎没有拖尾电流,这可以降低开关损耗,提高开关速度,更快的开关速度意味着更大的du/dt电压变化率...