在3.3kV及以上的阻断电压下,SiC单极开关和二极管在高温下会遭受高传导损耗,而SiC双极器件(例如IGBT)表现出3V的高正向压降,存在很大挑战,令人望而却步。由此,在这些系统中,SiC技术相对于硅IGBT的优势被削弱。 SiC超结的解决方案十分受人关注。该架构打破了单极传导限制,并在中压级应用中提供了特定导通电阻和阻断电压...
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统...
然而,导热路径劣化(芯片贴装分层、碎裂等)造成的芯片温度升高也可能导致较高的RDSON。在SiC MOSFET器件中,VDS,on在 Idrive电流下大致与RDSON成正比,因此其与温度相关的增长高于IGBT Vsat饱和电压的增长。因此,这种可逆性增长可以主导测量的VD,on,导致提前停止测试程序并低估实际寿命。 AQG-324的附录 III(第 14 页)...
尽管SiC IGBT在阻断电压、导热系数和开关速度等方面优于Si IGBT,但是传统的IGBT结构一定程度上限制了SiC材料性能的发挥。为了提高SiC IGBT的电气性能和可靠性,新型IGBT结构在正在不断的发展。 02 特性和驱动 SiC的宽禁带和极高的电压等级使得其IGBT性能与Si基IGBT有着差别,主要就是动静态特性。 静态特性 正向特性是...
Si IGBTSiC MOSFETSiC Hybrid switch(HyS)combines low conduction loss of Si IGBT and low switching loss of SiC MOSFET,and the cost is closer to that of Si IGBT.The promising high performances of HyS will bring considerable achievement in terms of enhancing power density of a converter system....
Simcenter T3STER和Simcenter MicredTMPower Tester提供了以上所有选项来测量二极管、MOSFET或IGBT,可以适用任何器件和应用。Simcenter是 Siemens Xcelerator这一软硬件和服务业务平台的一部分。 1.2.功率循环 有功功率循环 (APC) 是一种重要的可靠性测试方法,该方法通过在器件中开关高电流来检查半导体元件的劣化机制。通过...
Simcenter T3STER和Simcenter MicredTMPower Tester提供了以上所有选项来测量二极管、MOSFET或IGBT,可以适用任何器件和应用。Simcenter是 Siemens Xcelerator这一软硬件和服务业务平台的一部分。 1.2.功率循环 有功功率循环 (APC) 是一种重要的可靠性测试方法,该方法通过在器件中开关高电流来检查半导体元件的劣化机制。通过...
★由于大电流下IGBT的输出特性,从而具有较大的过载能力 虽然控制策略复杂了,但成本却大幅度降低,所以在SiC完全成熟(价格低)之前的当下几年,还是有可能的。 又跟朋友讨了一篇论文资料:参考文献"Hybrid Si/SiC Switches: A Review of Control Objectives, Gate Driving Approaches and Packaging Solutions" Dereje Wolde...
(4) 平面互连封装:通过消除金属键合线,将电流回路从DBC板平面布局拓展到芯片上下平面的层间布局,显著减小了回路面积,降低了杂散电感参数,如Silicon Power公司采用端子直连(DLB)[19]、IR的Cu-Clip IGBT[20]和Siemens的SiPLIT技术[21]等。 (5) 双面焊接(烧结)封装:在功率芯片两侧焊接DBC散热基板,为芯片上下表面提...
所有SiC 技术所用的互连技术和生产线,都与我们在控制这些工艺和模块组装方面积累了几十年经验的英飞凌 Si IGBT 和二极管相同。英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 技术的另一个优势是,我们无需使用额外的反向并联二极管,而能够在同步整流模式下使用 CoolSiC™ MOSFET 的体二极管。这...