这6个IGBT芯片分为上、下两个半桥臂,其中,IGBTⅠ、Ⅱ、Ⅲ并联连接组成上半桥臂,IGBT Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ并联连接组成下半桥臂,两个半桥臂之间串联连接。每个IGBT芯片的两端反并联有1个二极管,用于实现续流。 在解决IGBT封装问题上,大部分精力集中在解决IGBT模块的散热上,毕...
相比之下，IGBT具有更成熟的工艺、更低的成本以及更好的兼容性等优势，在新能源汽车和其他领域中发挥着重要作用。未来，随着SiC技术的不断进步和成本的逐渐降低，SiC器件有望在更多领域取代传统的硅基器件和IGBT器件，成为电力电子领域的主流器件之一。
IGBT功率器件集合了BJT和功率MOSFET的双重优点，它既具有功率MOSFET的高速开关和电压驱动特性，又具有BJT的...
类型：IGBT模块根据其结构特点，可以分为穿通型IGBT（PT-IGBT）和非穿通型IGBT（NPT-IGBT）穿通型IGBT在发射极接触处具有N+区域，呈现出非对称的电压阻断特性，因此更适合用于直流电路。而非穿通型IGBT则没有额外的N+区域，其结构呈现出对称性，更适用于交流电路。内部结构：IGBT模块的内部结构是一个四层半导体器...
SiC(碳化硅)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)都是功率半导体器件。下面将从结构、原理和电路控制三个方面进行对比分析。 SiC与IGBT功率器件大比拼852 播放 · 0 赞同视频 结构对比 SiC材料特点: 1.高绝缘击穿场强:SiC的绝缘击穿场强是Si(硅)的10倍,这使得SiC器件可以在更高的电压下工作而不会击穿。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为功率半导体全控型器件,集功率 MOSFET 的高速性能与双极型器件的高增益于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、驱动功率小、通态电阻低等特性,广泛应用在新能源汽车、轨道交通、智能电网、绿色能源等领域。SiC 基 IGBT 较 Si 基 IGBT 具有高耐压、高功率的特点,然而其在...
IGBT功率模块的根本劣势以及被SiC碳化硅功率模块取代的核心原因 一、IGBT功率模块的根本劣势 材料物理性能的先天限制 硅基材料的性能天花板：IGBT基于硅材料（禁带宽度 1.1 eV，击穿电场 30 V/μm），其耐压和高温性能受限于硅的固有特性。例如，在高压（1200V以上）场景中，硅基IGBT需通过增加外延层厚度来提升耐压...
由于新能源汽车对续航里程的高需求,使得电能管理需求更精细化,这些对绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transister,IGBT)、MOSFET、二极管等功率分立器件的需求远高于传统汽车,在新能源汽车中功率半导体占了整车半导体的55%左右。 功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心,是推动电力电子系...
碳化硅（SiC）与IGBT的应用 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点。这使得碳化硅器件能够大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。在电力电子领域，碳化硅的高电场饱和漂移速度和高击穿电场强度使其能够制造出耐高压和高频的功率器件，广泛应用于智能电网、轨道交通、...
驱动电机的秘密:什么是IGBT与SiC?【汽车逆变器与功率模块】 发布于2024.5.15 00:10 次播放 自在橘子9n7k 关注0人69粉丝 关注 评论·0 提交评论 暂无更多评论 热门视频 推荐:襄阳华侨城云海汤泉世界之外2025新年祝福新郑火车站准备什么时间恢复客运20赫兹的音乐初中生必背文学常识书最近很火的腿部动作火火的姑娘女版...