在电流较小时,SiC mosfet 具有更小的导通损耗,当电流较大(超过曲线交点)时,IGBT 的导通损耗则更小。 2、从开关特性看,IGBT属于双极性器件,在关断时由于少子的复合肯定会造成拖尾电流,使其开关损耗特性较差。而SiC MOSFET具有更快的开关速度,且没有拖尾电流, 所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。 综上,SiC MOSFET...
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Danfoss DCM™ 平台采用了多项成功的技术,为电力传动系统提供定制 SiC 和 IGBT 功率模块。让我们携手,一同设计未来的电动汽车。
在电流较小时,SiC mosfet 具有更小的导通损耗,当电流较大(超过曲线交点)时,IGBT 的导通损耗则更小。 2、从开关特性看,IGBT属于双极性器件,在关断时由于少子的复合肯定会造成拖尾电流,使其开关损耗特性较差。而SiC MOSFET具有更快的开关速度,且没有拖尾电流, 所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。 综上,SiC MOSFET...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。
CoolSiC™ 混合模块 碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件,旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片作为独立组件或与功率模块中的硅功率器件结合,可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管,它是进一步扩展IGBT技术的重要部分。
第一种配置考虑典型NPC1拓扑结构作为硅基解决方案,采用额定值为150A的快速H3 IGBT模块,同时中性支路上设置150-A EC7二极管(NPC1 a)。第二种配置是一种混合解决方案,中性支路上设置额定值为150A的H3 IGBT和额定值为50A的SiC FWD(NPC1 b)。第三种配置考虑ANPC结合6-mΩ CoolSiC™ MOSFET和150-A TRENCH...
CoolSiC™ 混合模块 碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件,旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片作为独立组件或与功率模块中的硅功率器件结合,可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管,它是进一步扩展IGBT技术的重要部分。
近日,汇川联合动力推出了采用Si和SiC混合功率模块的电机控制器产品——PD4H混碳电控,这款产品是基于第四代电机控制器平台进行开发,采用英飞凌新一代的IGBT和SiC MOSFET混合模块,优化并利用EDT3 IGBT 和Gen2 SiC的技术优势,使得两种芯片性能兼容匹配,发挥不同芯片在不同工况下的技术优势。
富士电机将高频区域下,损耗低的高速IGBT和SiC-SBD相结合,开发了高速混合型模块,实现了开关损耗的大幅降低。其结果,变频器在高频运行时产生的损耗与以往相比可降低约50%,有望用于要求小型轻量化及高效化的应用中。 1.高速混合型模块的概述 图1是功率器件的开关频率和电力容量的应用情况。高速混合型模块的主要应用...