简介:采用双区加热方式,加热生长气体,实现稳定的温度梯度。该装置采用双区加热系统,采用电磁阀线圈,可分别控制生长气体和基板的温度。※此外,我们根据客户的要求生产高温CVD设备。特点:采用2个区域,按区域进行功率控制、可超高速旋转基板。规格:加热方式:高频感应加热方式、基座加热方式及碳气体导入方式输出:50kW、2区加...
🌐探索日本最新科技,我们带来了一款先进的SiC气相生长高温CVD设备!这款设备采用双区加热系统,确保生长气体在稳定温度梯度下进行加热,为科学研究提供强大支持。🔧🔥特点亮点🔥 双区加热:通过电磁阀线圈,生长气体和基板的温度可分别精确控制。 功率分区控制:设备分为两个区域,每个区域的功率都可以独立调节。 超高速...
这一厚度可以制造耐压在2kV以下的功率元件。 要想形成外延层,就得采用CVD装置。目前的CVD装置支持50μm以上的厚度。 目标是实现与硅同等的元件成本 仅扩大SiC基板口径、提高质量,难以使SiC功率的元件成本与硅相同。制造工艺也必须进行改进。 一般情况下,功率元件的制造成本包括积层了外延层的晶圆(外延晶圆)成本(晶圆...
在CVD设备中,衬底是不能直接放在金属或者简单的放置在某个底座上面进行外延沉积,因为其中涉及到气体流向(水平、垂直)、温度、压力、固定、脱落污染物等各方面的影响因素。因此需要用到一个基座,然后将衬底放置在盘上,然后再利用CVD技术在衬底上面进行外延沉积,这个基座就是SiC涂层石墨基座(又可以叫做托盘)。 SiC涂层石...
本实用新型提供了一种用于制备石墨托盘CVDSiC涂层的水平悬挂式旋转装置,包括:旋转组件设置有一大支撑旋转轴,大支撑旋转轴底部设置有一突出轴,大支撑旋转轴通过突出轴穿设在一炉底,突出轴穿过炉底固定设置在一炉外承力装置内;承载组件设置有一大承重板和四根支架,大承重板固定设置在大支撑旋转轴的上端,支架竖直设置...
碳化硅部件(CVD-SiC) 以自行研发的CVD法生产,实现了超高纯度,高耐热性,高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅(Si)和碳(C)1比1结合而成的一种化合物,具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆,也广泛运用于高温时使用的夹具产品。
燃烧式装置采用的方法是直接对尾气进行燃 烧处理,硅烷、硅团簇和短链烃经燃烧形成无害的 氧化物,氢气则形成水后直接外排。由于整个反应 气体组成均为可燃性气体,采用燃烧法是最直接和 最经济的方法。 燃烧法尾气处理装置原理如图1所示。SiC CVD系统的尾气通过气动阀进入燃烧式尾气处理 装置,流量测试模块对尾气的总量...
1.本发明属于半导体薄膜材料技术领域,具体涉及一种可局部定向沉积sic涂层的cvd装置及沉积方法。 背景技术: 2.化学气相沉积(cvd)是一种制备无机材料的气相生长方法,它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。cvd已经广泛用于...
1. 1. 1CVD 法制备高纯 SiC 粉体 CVD 法是通过气体的高温反应得到超细、高纯的 SiC 粉体,其中 Si 源一般选择 SiH4和 SiCl4等,C 源一般选择 CH4、C2H2和 CCl4等,而( CH3 ) 2 SiCl2、Si( CH3 ) 4等气体既可以同时提供 Si 源和 C 源,这些气体的纯度均在 99. 999 9% 以上。
本研究的同质外延生长实验是在芯三代公司开发的SiC外延CVD设备SiCcess中完成的,其反应腔属于垂直进气热壁式,同时配备高速晶圆旋转技术。图 1 显示了其反应腔结构,由喷淋头、热壁、托盘旋转装置、侧面电阻加热器和底部电阻加热器等组成。工艺气体通过顶部喷淋头垂直注入腔室,通过比衬底直 径稍大的导气筒,到达衬底表面...