简介:采用双区加热方式,加热生长气体,实现稳定的温度梯度。该装置采用双区加热系统,采用电磁阀线圈,可分别控制生长气体和基板的温度。※此外,我们根据客户的要求生产高温CVD设备。特点:采用2个区域,按区域进行功率控制、可超高速旋转基板。规格:加热方式:高频感应加热方式、基座加热方式及碳气体导入方式输出:50kW、2区加...
🌐探索日本最新科技,我们带来了一款先进的SiC气相生长高温CVD设备!这款设备采用双区加热系统,确保生长气体在稳定温度梯度下进行加热,为科学研究提供强大支持。🔧🔥特点亮点🔥 双区加热:通过电磁阀线圈,生长气体和基板的温度可分别精确控制。 功率分区控制:设备分为两个区域,每个区域的功率都可以独立调节。 超高速...
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的工作原理基于化学气相沉积(CVD)技术。在生长过程中,反应气体(如硅烷和碳氢化合物)在射频加热器的加热作用下发生化学反应,生成SiC外延层。具体过程如下: 加热 射频加热器启动,对石墨托盘及其上的SiC衬底进行加热,使其达到所需的生长温度。加热过程中,隔热板减少了热量的散失,提高了...
专利文献1所记载的CVD处理装置(化学气相沉积装置)能够抑制处理室内的压力变化。 另外,在专利文献2也记载有向炉体内导入原料气体的气体导入管的导入口具有锥形形状的SiC化学气相沉积装置。具有锥形形状的气体导入管抑制在气体导入管的导入口附近产生对流和因气体扩散而在气体导入管附近再附着附着物的情况。对于再附着于...
要想形成外延层,就得采用CVD装置。目前的CVD装置支持50μm以上的厚度。 目标是实现与硅同等的元件成本 仅扩大SiC基板口径、提高质量,难以使SiC功率的元件成本与硅相同。制造工艺也必须进行改进。 一般情况下,功率元件的制造成本包括积层了外延层的晶圆(外延晶圆)成本(晶圆成本),以及制造和试验的成本(厂房成本)。要...
目前,SiC涂层的制备方法主要有凝胶-溶胶法、包埋法、刷涂法、等离子喷涂法、化学气相反应法(CVR)和化学气相沉积法(CVD)。 包埋法 该方法是高温固相烧结的一种,主要是以Si粉和C粉混合作为包埋粉,将石墨基体置于包埋粉中,在惰性气体中进行高温烧结,最终在石墨基体表面得到SiC涂层。该法工艺简单,且涂层与基体之间结合...
碳化硅部件(CVD-SiC) 以自行研发的CVD法生产,实现了超高纯度,高耐热性,高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅(Si)和碳(C)1比1结合而成的一种化合物,具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆,也广泛运用于高温时使用的夹具产品。
燃烧式装置采用的方法是直接对尾气进行燃 烧处理,硅烷、硅团簇和短链烃经燃烧形成无害的 氧化物,氢气则形成水后直接外排。由于整个反应 气体组成均为可燃性气体,采用燃烧法是最直接和 最经济的方法。 燃烧法尾气处理装置原理如图1所示。SiC CVD系统的尾气通过气动阀进入燃烧式尾气处理 装置,流量测试模块对尾气的总量...
本研究的同质外延生长实验是在芯三代公司开发的SiC外延CVD设备SiCcess中完成的,其反应腔属于垂直进气热壁式,同时配备高速晶圆旋转技术。图 1 显示了其反应腔结构,由喷淋头、热壁、托盘旋转装置、侧面电阻加热器和底部电阻加热器等组成。工艺气体通过顶部喷淋头垂直注入腔室,通过比衬底直 径稍大的导气筒,到达衬底表面...
主权项:1.一种用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,包括:旋转组件,所述旋转组件设置有一大支撑旋转轴,所述大支撑旋转轴底部设置有一突出轴,所述大支撑旋转轴通过所述突出轴穿设在一炉底,所述突出轴穿过所述炉底固定设置在一炉外承力装置内;承载组件,所述承载组件设置有一大承力板和四...