SiC Parts (CVD-SiC) 碳化硅部件(CVD-SiC) 以自行研发的CVD法生产,实现了超高纯度,高耐热性,高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅(Si)和碳(C)1比1结合而成的一种化合物,具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆,也广泛运用于...
目前,量产的SiC有四种:CVD SiC,单晶SiC(单晶薄膜SiC也是用CVD生长的),反应键合SiC(reaction-bonded,含有10-40%的Si相),以及热压SiC。这四类SiC的热导率相差较大,CVD SiC在300-370Wm−1K−1,单晶SiC为490Wm−1K−1,反应键合为120-170Wm−1K−1,热压为50-120Wm−1K−1。其中,单晶最高,但是...
3.1 石墨衬底上 CVD SiC 工艺模拟 作者利用MedeA HT-Launchpad结合Deposition模块模拟 CVDSiC工艺过程,见图1。从图1a 中可知,体系模型分为运动层、恒温层和固定层;图1b 所示,首先将CH3SiCl3(反应源气体MTS)分解为CH3和SiCl3,中间体逐渐扩散到石墨原子层表面并被吸附;SiC分子最终沉积并生长在原子层表面。从 0 ~...
CVD-SiC具有高温稳定性、优异的机械强度和化学稳定性,因此在高温、高压和腐蚀性环境下具有广泛的应用前景。根据SiC沉积过程中的不同条件和参数,CVD-SiC可以分为不同的分类。 1. 低压化学气相沉积(LPCVD)SiC 低压化学气相沉积(LPCVD)是一种常用的SiC沉积方法之一。在LPCVD过程中,将所需的前驱体气体(如甲基氯硅烷和...
🔧 CVD-SiC半导体生产设备中的治具和部件,以其卓越的抗氧化性、化学稳定性和耐热性,在半导体材料的制造过程中发挥着至关重要的作用。这些部件能在2000度的高温下保持稳定,广泛应用于晶圆舟、管以及仿真晶圆等关键组件,尤其在高温作业环境中,它们的表现尤为出色。🌐...
【摘要】深度解析质子辐照对CVD碳化硅与烧结SiC热导率的影响机制,对比流化床沉积、NITE烧结等工艺的辐射耐受性差异,详述激光闪射法在双层结构检测中的创新应用。 一、SiC材料核应用价值与辐照挑战 核心要点: 高纯度碳化硅(SiC)在核燃料包壳领域具有关键应用价值,其高热导率可降低燃料温度与热应力 ...
芯三代是一家立足于本土、拥有全球顶级人才和技术资源的高科技公司。公司致力于研发生产半导体相关专业设备,目前聚焦于第三代半导体SiC-CVD装备,倾力为业界提供先进且富有竞争力的量产装备。SiC-CVD设备用于碳化硅衬底上同质单晶薄膜外延层的生长,SiC外延片主要用于制造功率器件如肖特基二极管、IGBT、MOSFET等电子器件。
cvd sic结构 CVD (Chemical Vapor Deposition) 是一种常见的制备薄膜材料的方法,而SiC (碳化硅) 是一种重要的半导体材料,具有许多优良的性能特点。CVD法制备SiC薄膜的过程通常是在高温下,将含有Si和C原料气体输入反应室,通过化学反应在衬底表面沉积SiC薄膜。 SiC薄膜的结构取决于CVD过程的参数,包括反应气体的比例、...
Centered on our proprietary CVD-SiC technology, we combine the analytical and design capabilities to become involved in projects from their inception in order to provide the best possible solution. Solution examples Large-scale parts development for a high-temperature annealing device (boat, holder, ...