SiC 材料具有高强度、高硬度、低热膨胀系数及良好的导热性能,是一种重要的高温结构材料和高温半导体材料。因此,通过 CVD 技术在石墨衬底上沉积一层高性能SiC 涂层可有效解决上述问题。本研究中,作者采用宏微观跨尺度模拟方法对石墨衬底上 CVD SiC 工艺进行了模拟。通过MD 模拟得到了不同模拟变量下 SiC 晶体的生长...
用CVD工艺在石墨表面制作SiC防氧化涂层 SiC涂层可以以化学气相沉积( CVD ) ，先驱体转化 、等离子喷涂等方法制备，其中化学气相沉积法制备的涂层均匀致密，且具有良好的可设计性。以甲基三氯硅烷.( CHzSiCl3, MTS)为硅源，经过CVD方法制备SiC涂层是应用该涂层较为成熟的方法。SiC涂层和石墨具有很好的化学相容性，两...
CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率 及组织结构的影响 刘荣军,张长瑞,刘晓阳,周新贵,曹英斌 (国防科技大学航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南长沙410073)摘要:以CH3SiCl3-H2体系在1000~1300e沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CV D SiC涂层的组织结构。结果表明...
CVD-SiC涂层抗氧化性能碳化硅碳/碳复合材料最近发展起来的SiC纤维复合涂层,也就是SiC/SiC层与化学气相沉积(CVD)SiC结合形成复合涂层,已能够在高温下提高C/C复合材料的抗氧化性。形成的SiC纤维复合涂层约300μm厚,生产时先将SiC毡覆盖在3D-C/C基体材料上,然后浸渍一种碳粉与硅粉均匀分散的料浆进行化学气要沉积。
CVD—SiC涂层的C／C—SiC复合材料的抗烧蚀性能
第29卷第3期2010年3月中国材料进展MATERIALSCHINAVoL29No.3Mar.2010CVD法SiC纤维的涂层研究李雪成,杨延清,张荣军,罗贤,刘翠霞(西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072)摘要:纤维表面涂层法是解决CVDSiC纤维增强复合材料界面问题的有效途径。从涂层选取原则、涂层分类和制备方法三方面对该技术进行了介绍,并对几种...
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摘要：为了改善碳材料的抗氧化性能，同时促进SiC涂层的工程化应用，本文采用低压CVD工艺沉枳SiC涂层，研究致密SiC涂层的成型工艺。同时，对SiC涂层的沉积速率进行研究。实验结果表明：最佳的CVD沉积温度为 1100 -C，低温度促进SiC的定向生长，高温度使SiC产生气相沉积造成稀跋涂层。SiC涂层在石墨基体表面的沉积 速率随...
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沉积条件对CVD法SiC涂层形貌和组成成分的影响