AMB Si3N4具有高热导率、高机械能、高载流能力以及低热膨胀系数,适用于 SiCMOSFET功率模块、大功率IGBT模块等高温、大功率半导体电子器件的封装材料,应用于电动汽车(EV)和混合动力车(HV)、轨道交通、光伏等领域。 图源:Ferrotec 从性价比方面考虑,目前 450/600V 的车规级 IGBT 模块多用 DBC 陶瓷基板,800V 及...
氮化硅(si3n4)结合碳化硅(sic)耐火材料 耐压强度 148mpa 150mpa 200mpa 品牌 世恒耐材 金马 金盛山 更新时间:2024年12月02日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥12.00/千克 河南焦作 耐火砖生产厂家供应氮化硅结合碳化硅制品 硬度高高温强度好 可定制 在...
与其他常用的半导体材料（例如SiC、AlN和GaN）相比，尽管Si3N4 的化学键和机械强度相当甚至更强，但其热导率要低得多。比如SiC热导率是400-500 W/mK，AlN热导率是325 W/mK，GaN热导率是200 W/mK。通过对比SiC和Si3N4的声子性质，团队发现Si3N4的较低热导率是由于其较大的三声子散射空间和更强的非简谐...
(3)通过HRTEM观察到SiC与Si的两相界面较为平整,Si的(011)晶面与SiC的(113)晶面,Si的(101)晶面与SiC的(121)晶面有较好的匹配关系。
Si3N4/SiC纳米复相陶瓷,是以碳化硅(SiC)纳米颗粒为第二相,弥散进入氮化硅(Si3N4)基体相制备得到的新型陶瓷材料,对碳化硅陶瓷具有强化、增韧效果,综合性能明显提升。 氮化硅陶瓷,为六角晶系,具有密度低、质量轻、强度高、耐高温、热膨胀系数低、导热率高、耐热冲击性优等特点,但硬度、耐磨性、化学稳定性较差;碳化...
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化...
Their combination in composites obtained by dispersing SiC inclusions in a Si3N4 matrix should produce superior materials. The availability of SiC whiskers prompted their use as a reinforcing phase in Si3N4 composites. Toughening increments were expected due to energy dissipating mechanisms related to ...
【氮化硅的应用】 氮化硅用做耐火材料,如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位;如与BN结合作SI3N4-BN材料,用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料,结构均匀,具有高的机械强度。耐热冲击性好,又不会被钢液湿润,符合连珠的工艺要求。见下表 ...
对于Si3N4-SiC耐火材料，SiC是增强相且质量分数(>70%)较大，Si3N4相主要起黏结作用。当两相界面结合强度足够高时，裂纹扩展过程中SiC相以穿晶断裂为主，消耗更多的断裂能。热震试验后，试样界面受到氧化及热应力损伤，导致两相结合强度下降，SiC相沿晶断裂占比增大。裂纹在Si3N4相中扩展所消耗的断裂能较少，导致...