感应熔炼和电子束精炼对硅中的硬质颗粒均有较好的排除效果,硬质颗粒在液态硅的底部沉积。 (2)Si和Si3N4存在两种晶格匹配关系, Si的(110)晶面上的<110>晶向与β-Si3N4的(0113)晶面上的<1120>晶向;Si的(001)晶面与β-Si3N4的(0001)晶面间存在γ-Si3N4的过渡层。 (3)通过HRTEM观察到SiC与Si的两相界面较...
多晶锭中的硬质点主要为SIC和Si3N4杂质,主要聚集在顶部10 mm范围内;硅锭内部的硬质点为SiC。一般来说,多晶硅锭中多少都会有点硬质夹杂,我们铸锭的主要目的就是减小SiC硬质点的数量和大小,主要是不影响切片就行。除了对原料进行控制之外,转述他人的一些解决方法: 1)在装料后执行严格的开炉程序以排除氧和水分,因...
碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途. (1)Al的原子结构示意图为 ;Al与NaOH溶液反应的离子方程式为 . (2)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,其反应方程式为 ...
碳化钛(TiC)、碳化硼(B4C3)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等非氧化物陶瓷是新型无机非金属材料,有关制备这些物质的条件选择正确的是 A. 在高温条件下进行反应 B. 在有氧条件下进行反应 C. 按化学式计量投入原料 D. 隔绝氧气 相关知识点: 试题来源: 解析 ACD 【详解】试题分析:A.新型无机非金属材料...
热震试验后，试样界面受到氧化及热应力损伤，导致两相结合强度下降，SiC相沿晶断裂占比增大。裂纹在Si3N4相中扩展所消耗的断裂能较少，导致剩余断裂韧性的降低。03.结论 (1)通过真空振动浇注成型和传统机压成型制备了Si3N4-SiC耐火材料，真空振动浇注试样的常规性能优于机压试样的。(2)真空振动浇注试样各部分的体积...
碳化硅(SiC) 、氧化铝(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。宇宙火箭和导弹中,大量用钛代替钢铁。 (1)Al的离子结构示意图为; Al与NaOH溶液反应的离子方程式为 (2)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐, ...
,和∗+−陶瓷材料的压痕断裂行为和断裂韧性测量 ∀ 张清纯 ’ 乔 辛 签书 .中国科学院止 /海硅酸盐研究所0 摘 要 本文以热压∗1 ∃#/和反应烧结∗儿姨为对象 , 研究其在2呈 34∋5 ∗钻石压头的作用下 , 相应子压痕断裂行为而
SiC 是 一种半导体材料, 其内部具有大量可以自由移动的 载流子. Si3N4 是绝缘性很好的材料,其内部几乎没有 可以自由移动的载流子. SiC 中的载流子与太赫兹波 发生相互作用,从而产生对太赫兹波的吸收,同时 SiC 和 Si3N4 粉体对太赫兹波产生散射. 太赫兹时域光谱 技术已被广泛用于研究半导体材料如 Si,Ge 和 GaAs...
1碳化钛(TiC)、碳化硼(B4C3)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等非氧化物陶瓷是新型无机非金属材料,有关制备这些物质的条件选择正确的是( ) A. 在高温条件下进行反应 B. 在有氧条件下进行反应 C. 按化学式计量投入原料 D. 隔绝氧气 215.碳化钛(TiC)、碳化硼(B4C3)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)...
SiC 是 一种半导体材料, 其内部具有大量可以自由移动的 载流子. Si3N4 是绝缘性很好的材料,其内部几乎没有 可以自由移动的载流子. SiC 中的载流子与太赫兹波 发生相互作用,从而产生对太赫兹波的吸收,同时 SiC 和 Si3N4 粉体对太赫兹波产生散射. 太赫兹时域光谱 技术已被广泛用于研究半导体材料如 Si,Ge 和 GaAs...