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以下是SI2309场效应管的一些参数: 1. 额定电压(VDS),SI2309的额定电压通常在20V左右,这意味着在正常工作条件下,其耐受的最大电压为20V。 2. 额定电流(ID),SI2309的额定电流通常在1-2安培之间,这是指在规定的电压下,场效应管能够承受的最大电流。 3. 阈值电压(VGS(th)),SI2309的阈值电压通常在1-2V之间...
零件号别名 SI2309CDS-GE3 单位重量 41 mg 可售卖地 全国 型号 SI2309CDS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2309CDS-T1-GE3-VISHAY-SOT23-2019+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,...
SI2309CDS-T1-GE3的技术规格参数显示了其优异的性能。这类P沟场效应管具备60V漏源电压(Vdss)，5.2A持续漏极电流(Id)，27W功率(Pd)，10V、3.2A时的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为50mΩ。三、工作原理及应用 依据前沿场效应管技术，SI2309CDS-T1-GE3工作原理，通过外部电场的操纵实现对电流精准控制。其独特...
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SI2309DS-T1-GE3参数方面表现卓越。作为P沟道MOS管,它具有60V的电压承受能力和5.2A的连续漏极电流。其导通电阻在不同电压下为40mΩ@10V,展现了在功率控制和导通特性方面的卓越表现。P沟道,-60V,-5.2A,40mΩ@-10V的特性,使得SI2309DS-T1-GE3适用于多种电子应用。这些参数的详细解读为了更好地满足读者的需求...
规格 请选择规格 属性 品牌:昌荣微 型号:SI2309 丝印A9SHB 封装:SOT-23 批号:新年份 晶体管极性:P沟道 集射极击穿电压(VCEO):20V 最大集电极电流(Icm):3A 电流放大系数(hFE):3A 特征频率:标准 最大耗散功率:357(mW) 工作温度范围:-55~+150℃ 安装类型:SMD/表面封装 应用领域:家用电器 ...