Si2309CDS-T1-GE3 30250 VISHAY(威世) SOT23-3 21+ ￥20.0000元10~199 PCS ￥15.0000元200~999 PCS ￥11.0500元1000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 SI2309CDS-T1-GE3 场效应管 VISHAY(威世) 封装SOT-23 批次22+ ...
SI2309CDS-T1-GE3 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) VISHAY(威世)全新 深圳市福田区卓立微电子商行(个体工商户)1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.75 全新原装SI2309CDS-T1-GE3 丝印N9*** SOT23-3 P沟道MOS场效应管 深圳市吉翔电子有限公司6年 ...
零件号别名 SI2309CDS-GE3 单位重量 41 mg 可售卖地 全国 型号 SI2309CDS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2309CDS-T1-GE3-VISHAY-SOT23-2019+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,...
SI2309CDS-T1-GE3的技术规格参数显示了其优异的性能。这类P沟场效应管具备60V漏源电压(Vdss)，5.2A持续漏极电流(Id)，27W功率(Pd)，10V、3.2A时的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为50mΩ。三、工作原理及应用 依据前沿场效应管技术，SI2309CDS-T1-GE3工作原理，通过外部电场的操纵实现对电流精准控制。其独特...
Si2309CDS New Product Document Number: 68980S-82584-Rev. A, 27-Oct-08 www.vishay.com 1 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free Option Available •TrenchFET ® Power MOSFET APPLICATIONS •Load Switch PRODUCT SUMMARY V DS (V)R DS(on) (Ω)I D (A)d Q g (...
SI2309CDS-T1-GE3 原装现货 SOT-23-3封装 P沟道 60V 1.6A 深圳市博睿特电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.50 原装正品SI2309CDS-T1-GE3 SOT-23 P沟道 -60V/-1.2A 贴片MOSFET 深圳市连昕芯电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30...
SI2309CDS-T1-GE3是一款P沟道60V功率MOSFET,±20V栅源电压。采用TrenchFET®功率MOSFET技术。 无卤素 应用 音频,信号处理SI2309CDS-T1-GE3中文参数 制造商: Vishay Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 产品种类: MOSFET Qg-栅极电荷: 2.7 nC 技术: Si 最小工作温度: - 55 ℃ 安装风格: SMD/SMT 最大...
爱企查为您精选热销商品,为您提供si2309cds采购价格、图片大全、供应商家、行情报价、询价电话、发货地区等。您可以立即联系厂家或发布询价求购信息。
SI2309CDS-T1-GE3的技术规格参数显示了其优异的性能。这类P沟场效应管具备60V漏源电压(Vdss),5.2A持续漏极电流(Id),27W功率(Pd),10V、3.2A时的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为50mΩ。 三、工作原理及应用 依据前沿场效应管技术,SI2309CDS-T1-GE3工作原理,通过外部电场的操纵实现对电流精准控制。其独特之处...
制造商编号 SI2309CDS-T1-E3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 D-SI2309CDS-T1-E3 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 P-Channel 60 V 0.345 Ohm 1.7 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2309CDS-T1-E3.pdf 参数信息...