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以下是Si2309DS的参数介绍: 1.晶体管类型:N通道增强型场效应管 2.最大工作电压:60V 3.最大导通电流:60A 4.最大功耗:150W 5.开关速度:非常快 6.输入电容:非常小,适用于高频率电路 7.热稳定性好,适用于高温环境 Si2309DS的导通电阻低,可有效降低能耗和发热,特别适合于高负载电流的应用场景,如电源转换、...
SI2309DS-T1-E3 全球供应商 全球供应商 (4家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -272立即发货1RMB ¥税5.8765.8765.8765.8765.876购买 欧时 英国0立即发货-RMB ¥税-5.8765.4354.8484.848询价 ...
SI2309DS-T1 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.82 Is Samacsys: N 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 60 V 最大漏极电流 (Abs) (ID): 1.25 A 最大漏极电流 (...
SI2309DS PDF规格书
通用MOSFET 1.25A(Ta) P-Channel 340 mOhms @ 1.25A,10V 1.25W(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 60V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2309DS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号D-SI2309DS-T1-E3 ...