原装现货SI2303BDS-T1-GE3 SOT-23 30V 1.7AP-MOS 询价为准 深圳市正伟亿科技有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 SI2303BDSP沟道场效应管P沟道MOSFET 深圳市福田区新亚洲电子市场二期利恒聚电子商行17年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2303BDS-T1 规格参数 是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99 风险等级:5.81Is Samacsys:N 配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):1.49 A FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0 工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C ...
通用MOSFET 1.49A(Ta) P-Channel 200 mOhms @ 1.7A,10V 700mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2303BDS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号G-SI2303BDS-T1-E3 ...
数据列表 SI2303BDS; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 停產 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 700mW(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 SOT-23...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI2303BDS-T1-GE3-VB 商品编号C7568765 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0175克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 5.6A 导通电阻(RDS(on)) 46mΩ@10V...
C, 24-Mar-08www.vishay.com1P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES • Halogen-free Option AvailablePRODUCT SUMMARY V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (A) b- 300.200 at V GS = - 10 V - 1.640.380 at V GS = - 4.5 V - 1.0GTO-236(SOT-23)SDTop View231Si2303BDS (L3)** Marking ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2303BDS、 T1、 GE3、 VISHAY、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 7.5...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2303BDS-T1-E3 元器件,主要参数为:SOT-23-3 ,SI2303BDS-T1-E3库存充足,购买享优惠!
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2303BDS、 T1、 VISHAY、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 6.5V ...
型号: SI2303BDS-T1-E3 批号: 2019+ 封装: SOT23 数量: 19000 QQ: 3007509805 产品识别码: b60e80c9-2570-11ea-8739-00163e1552d4-24 型号识别码: 625aeba8-c56d-11e9-824c-00163e1552d4-12 定货号: 06316 产品类型: 优势 上架时间: 2019-12-23T18:41:00 PDF资料 电子管-场效应管-SI2303BDS-...