型号 SI2304BDS-T1-E3 包装 卷 数量 30000 封装 SOT-23 批号 23+ 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 2.6A 功率(Pd) 750mW 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 品牌 VISHAY/威世 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,2.5A 栅极电荷(Qg...
型号 SI2304BDS-T1-E3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
Si2304BDS; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 TrenchFET® 其它名称 SI2304BDS-T1-E3TR FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250...
型号 SI2304BDS-T1-E3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2304BDS-T1-E3 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 19344 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 2.6 ...
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