SI2301BDS PDF规格书帮助,PDF,pdf,规格书,产品规格书,技术规格书 文档格式: .pdf 文档大小: 2.05M 文档页数: 5页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 经济/贸易/财会--财政/国家财政 文档标签: 帮助PDFpdf规格书产品规格书技术规格书 ...
安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:TO-236-3 封装:Reel 最小工作温度:-55C StandardPackQty:3000 SI2301BDS-T1数据手册 厂商PDF简要描述下载 VISHAY PDF SI2301BDS-T1市场趋势 按周按月>查看更长周期>最近30天 市场热度 按周按月>查看更长周期>最近30天 价格趋势...
数据手册:下载SI2301BDS-T1-GE3.pdf立即购买 券3000-150 券1888-100 券1000-50 数据手册 价格&库存 SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 SI2301BDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY RDS(on) () ID (A)a 0.035 at VGS = - 10 V - 5e 0.043 at ...
PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 Vishay 封装 SOT23 批号 21+ 数量 3092 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 2.4 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhm...
BOM配单 图片仅供参考,请参阅产品规格。 P-Channel 2.5-V G-S MOSFET 制造商 :Vishay Intertechnology, Inc 封装/规格 :SOT-23 产品分类 :MOSFET Datasheet:SI2301BDS-T1 Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free/RoHS Compliant 库存:1887 Share:
-tp datasheet pdf micro commercial components sot-23p-ch 20v 2.8a si2301 cds-t1-ge3 datasheet pdf vishay siliconix trans mosfet p-ch 20v 2.3a 3pin sot-23 t/r si2301 bds-t1-e3 datasheet pdf vishay siliconix mosfet; p-ch; vdss -20v; rds(on) 0.08Ω; id -2.2a; to-236 (sot-23)...
SI2301BDS-T1-E3.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 通用MOSFET 连续漏极电流Id 2.2A(Ta) FET类型 P-Channel Vgs(最大值) ±8V Rds On(Max)@Id,Vgs 100 mOhms @ 2.8A,4.5V Vgs(th...
数据手册 代替型号 SI2301BDS-T1-E3 全球供应商 全球供应商 (3家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -9691立即发货1RMB ¥税16.12816.12816.12816.12816.128购买 Allied Electronics ...
PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 Vishay 封装 SOT-23 批号 NEW 数量 9860000 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 2.2 A Rds On-漏源导通电阻 100 ...
功率(Pd) 700mW 属性参数值 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs) 10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds) 375pF@6V 反向传输电容(Crss@Vds) - 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj) 数据手册PDF 放大查看下载PDF梯度价格 嘉立创贴片惊喜价格立即查看 梯度 售价 折合1圆盘 5+￥1.3604 50+￥1.0863 ...