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型号: SI2302DS-T1 封装: SOT23-3 批号: 22+ 数量: 90000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 9.5V 长度: 9.5mm 宽度: 8.2mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
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SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用简介:SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET,适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。优势与...
SI2302DS-T1-GE3 价格参考￥ 0.20924 。 VBsemi SI2302DS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23。你可以下载 SI2302DS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及...
SI2302DS-T1-GE3场效应管在电子元件行业占据重要的市场地位,广泛应用于各种高性能电子设备中。SI2302DS-T1-GE3作为一种高效的N沟MOS管,因其出色的电气特性和稳定性而著称。其主要特征包含低导电阻跟高电流承重能力,在电池管理、负载开关、信号放大等行业发挥主导地位。在电子元件市场中,SI2302DS-T1-GE3因其出色的性...
SI2302DS-T1是一款单配置的电子元件，符合RoHS标准，无需额外的环保顾虑。该晶体管采用N-Channel设计，其极极/源极击穿电压为20V，确保了其在高电压环境中的稳定性能。闸/源击穿电压为正负8V，具有良好的电流控制能力。其漏极可以连续承受2.8A的电流，能满足大部分电路的电流需求。在功率消耗方面，...