型号 SI2302DS-T1-GE3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
型号 SI2302DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2302DS-T1-GE3 数量: 1000 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。 应用简介:SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET,适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。优势与...
SI2302DS-T1-GE3的独特之处在于其高效的电流解决能力和低导电阻，在高效化、高性能的运用中尤其明显。实际应用中，SI2302DS-T1-GE3的多功能化跟高性能性能尤其明显。在电源管理系统中，能有效控制电源分派，保证设备的高效运行。在电机驱动运用中，SI2302DS-T1-GE3运用其高电流解决能力，给予精准的电机控制。此外，在...
SI2302DS-T..SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应
SI2302DS-T1-GE3场效应管在电子元件行业占据重要的市场地位,广泛应用于各种高性能电子设备中。SI2302DS-T1-GE3作为一种高效的N沟MOS管,因其出色的电气特性和稳定性而著称。其主要特征包含低导电阻跟高电流承重能力,在电池管理、负载开关、信号放大等行业发挥主导地位。在电子元件市场中,SI2302DS-T1-GE3因其出色的性...
SI2302DS-T1-GE3场效应管在电子元件行业占据重要的市场地位,广泛应用于各种高性能电子设备中。SI2302DS-T1-GE3作为一种高效的N沟MOS管,因其出色的电气特性和稳定性而著称。其主要特征包含低导电阻跟高电流承重能力,在电池管理、负载开关、信号放大等行业发挥主导地位。在电子元件市场中,SI2302DS-T1-GE3因其出色的性...
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品牌:VBsemi(微碧) 型号:SI2302DS-T1-GE3 商品编号:DS0142351 封装规格:SOT-23 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 相关问答 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 SOT-23 零件状态 Active 是否无铅 Yes 晶体管类型 N沟...
SI2302DS-T1-GE3由VBsemi设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2302DS-T1-GE3 价格参考￥ 0.2334 。 VBsemi SI2302DS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23。你可以下载 SI2302DS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet...