供应SI1012R-T1-GE3SOT-523封装 贴片晶体三极管全新现货 深圳市科嘉华电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.45 SI1012R-T1-GE3丝印C** 封装SOT-523 原装现货 场效应管 深圳市易芯鸿电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录
SI1012R-T1-GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stopverical 等渠道进行代购。 SI1012R-T1-GE3 价格参考￥ 0.97492 。 Vishay SI1012R-T1-GE3 封装/规格: SOT416, 表面贴装型 N 通道 20 V 500mA(Ta) 150mW(Ta) SC-75A。你可以下载 SI1012R-T1-GE3 中文资料、引...
SI1012R-T1-GE3由Vishay设计生产。SI1012R-T1-GE3封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/0.75nC:阈值电压/900mV@250µA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/150mW:额定功率/150mW:栅极源极击穿电压/±6V:无卤/Yes:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/0.70mm:长x宽/尺寸...
SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。它具备卓越的电气性能,工作电压VDSS高达20V,可承载最大连续电流ID为0.8A,而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR,有助于提升系统能效并减小能耗。此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合,...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI1012R-T1-GE3 商品编号 C81450 商品封装 SC-75A 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)500mA ...
SI1012R-T1-GE3 产品概述 一、产品简介 SI1012R-T1-GE3 是一款由威世 (VISHAY) 生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),其具有出色的电气性能和热特性,适用于多种电子应用。该器件采用 SC-75A 封装,能够有效满足小型化、高性能电路的需求。
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1 N沟道场效应管 20V 0.6A SOT-523现货 深圳市代电科技有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.10 SI1012R-T1-GE3 SC-75 深圳市州发瑞电子有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 SI1012R-T1-GE3丝印C SOT-523...
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