SI1012X-T1-GE3 是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能,额定电压VDSS高达20V,可持续提供0.8A的最大电流ID,同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR,确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域,凭借其卓越的性能和紧凑封装,...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI1012X-T1-GE3 商品编号 C145298 商品封装 SC-89 包装方式 编带 商品毛重 0.11克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)600mA ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 VISHAY、 SI1012X、 T1、 GE3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 数量: 5000 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 20 V Vgs(最大值): ±6V 功率耗散(最大值)...
SI1012X-T1-GE3规格 FET 类型 N 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds ...
商品名称:VISHAYSI1012X-T1-GE3 商品编号:100128226891 货号:1151033526496464802_4 行业应用:工业,汽车 更多参数>> 商品介绍加载中... 售后保障 厂家服务 本产品全国联保,享受三包服务,质保期为:无质保 京东承诺 京东平台卖家销售并发货的商品,由平台卖家提供发票和相应的售后服务。请您放心购买! 注:因厂家...
SI1012X-T1-GE3简述 制造商:Vishay / Siliconix 批号:新批次 描述:MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V SI1012X-T1-GE3详细参数 SI1012X-T1-GE3价格 其他说明 价格有优势,SI1012X-T1-GE3国内现货当天可发货。 联系:18028728293(微信同号) Q:16845050...
商品型号:SI1012X-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-523 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103210891 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-523 包装 盘 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 25℃时电流-连续漏极(Id) 500mA(Ta) 驱...
型号:SI1012X-T1-GE3 封装/规格:SC-89 封装类型:贴片 产品类型:贴片MOS(场效应三极管) 品牌/产地:VISHAY(威世) 三极管类型:NPN 型号PN:SI1012X-T1-GE3 描述:漏源电压(VDSS) 20V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 500MA 栅源极阈值电压 900MV 流明 250UA 漏源导通电阻 700MΩ 流明 600MA 4.5V 最大功...