SI1012X-T1-GE3 是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能,额定电压VDSS高达20V,可持续提供0.8A的最大电流ID,同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR,确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域,凭借其卓越的性能和紧凑封装,...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 VISHAY、 SI1012X、 T1、 GE3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 数量: 5000 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 20 V Vgs(最大值): ±6V 功率耗散(最大值)...
SI1012X-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SI1012X-T1-GE3、查询SI1012X-T1-GE3代理商; SI1012X-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有SI1012X-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找...
SI1012X-T1-GE3规格 FET 类型 N 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds ...