制造商编号SI1029X-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号C-SI1029X-T1-GE3 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Dual N & P Channel 60 V 1.4 / 4 Ohm Surface Mount Mosfet - SC-89-6 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 ...
商品型号SI1029X-T1-GE3 商品编号C144890 商品封装SC-89-6 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 305mA;190mA 导通电阻(RDS(on)) 1.4Ω@10V,500mA 耗散功率...
型号SI1029X-T1-GE3DMG1029SV-7 唯样编号M-SI1029X-T1-GE3A32-DMG1029SV-7 制造商VishayDiodes Incorporated 供应商海外代购唯样自营 分类通用MOSFET通用MOSFET 描述Dual N & P Channel 60 V 1.4 / 4 Ohm Surface Mount Mosfet - SC-89-6MOSFET N/P-CH 60V SOT563 ...
SI1029X-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商:Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code:2305 Product Specification Section Vishay SI1029X-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。
SI1029X-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:射频晶体管,可在锐单商城现货采购SI1029X-T1-GE3、查询SI1029X-T1-GE3代理商; SI1029X-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有SI1029X-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI1029X-T1...
请登录免费注册 SI1029X-T1-GE3 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 1+￥10.00010 合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-7个工作日 库存: 150(1起订) 数量: X10.0001(单价) 总价: ￥ 10.0001 品牌:Vishay(威世) ...
SI1029X-T1-GE3 厂家:Vishay Siliconix 封装:SC-89-6 批号:-- 数量:25,419 - 立即发货 价格:询价 类型:FET - 阵列 PDF: 联系我们 联系号码 服务电话:0755-832227870755-23999932 传真号码:0755-83238256 E-Mail:szolxd@163.com QQ在线客服: SI1029X-T1-GE3...
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商品型号:SI1029X-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-523 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103210967 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-523 包装 盘 FET类型 N和P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 305mA,190mA 不同Id、Vgs时导通电阻...
SI1029X-T1-GE3 制造商零件型号 SI1029X-T1-GE3 现有库存数量 2000可立即发货 制造商 Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别 分立半导体产品 点击下载Pdf 点击下载PDF 系列 Vishay Siliconix 价格 ￥计算 描述 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 立即咨询 0755-82789005...