系列 SI1 晶体管类型 1N-Channel,1P-Channel 宽度 1.2mm 正向跨导-最小值 200mS,100mS 典型关闭延迟时间 20ns,35ns 典型接通延迟时间 15ns,20ns 零件号别名 SI1029X-GE3 单位重量 32mg 可售卖地 全国 型号 SI1029X-T1-GE3 由于我们经营的电子元件品种非常多,没法一一上传,如果您在我们店...
商品型号 SI1029X-T1-GE3 商品编号 C144890 商品封装 SC-89-6 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)305mA;190mA ...
SI1029X-T1-GE3双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm VISHAY 3,000 有货 数量价钱(含税) 3000+ CNY1.510 (CNY1.7063) 9000+ CNY1.320 (CNY1.4916) 包装规格:单件(整卷供应) 添加 最少:3000 / 多个:3000 法律与环境 原产地:United Stat...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI1029X-T1-GE3 元器件,主要参数为:SOT-563 ,SI1029X-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
High-Performance MOSFET: The SI1029X-T1-GE3 MOSFET is a high-performance device designed for various applications, including MOSFET drivers, with a high current rating of 0.305A and a wide operating temperature range of -55°C to 150°C. Surface Mount Technology (SMT) Compatible: This MOSFET...
SI1029X-T1-GE3由Vishay设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeyrschip1stopfuture等渠道进行代购。 SI1029X-T1-GE3 价格参考￥ 10.0001 。 Vishay SI1029X-T1-GE3 封装/规格: SOT-563, MOSFET N/P-CH 60V SC89-6。你可以下载 SI1029X-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料...
制造商零件型号 SI1029X-T1-GE3 现有库存数量 2000 可立即发货 制造商 标准卷带 类别 分立半导体产品 点击下载Pdf 点击下载PDF 系列 Vishay Siliconix 价格 ￥1.40323 描述 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6立即咨询 0755-82789005 WHY CHOOSE US 为什么选择铭顺信 15年行业经验,更擅长解决冷门IC采购难题 铭顺信...
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SI1029X-T1-GE3 制造商零件型号 SI1029X-T1-GE3 现有库存数量 2000可立即发货 制造商 Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别 分立半导体产品 点击下载Pdf 点击下载PDF 系列 Vishay Siliconix 价格 ￥计算 描述 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 立即咨询 0755-82789005...