SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,...
由于Si IGBT开关速度慢,且有拖尾电流损耗,单极性的SiC MOSFET开关 损耗远小于双极性的Si IGBT。采用适当的门极控制时序,可以实现IGBT的零电 压开关(Zero Voltage Switching, ZVS),而让开关损耗极小的SiC MOSFET承担硬 开关过程,从而减小Si/SiC混合器件损耗。 混合器件门极驱动时序可以如图1 所示,有四种基本的门极...
SiC MOSFET 和 IGBT 的应用有类似的功率水平,但随着频率的增加而产生差异,如图 1 所示。 SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、EV/HEV 的DC-DC、EV的牵引逆变器、电机驱动器和铁路上越来越常见 而IGBT 在电机驱动器(交流电机),不间断电源 (UPS)、集中式和串式光伏逆变器以及牵引逆变器(EV/HEV)很常见。
SiC MOSFET, 目前主流结构有两种：平面型和沟槽型。目前市面上大多数厂商都采用平面型结构，剖面结构如下所示，可以清楚地看到电流路径上的电阻分布 功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计人员总是要千方百计地降低导通电阻，进而降低器件损耗。
相对于同等耐压的 SJ-MOSFET(超级结 MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。 图为SiC-MOSFET 通过与 Si 功率元器件进行比较所表示的耐压范围 一、SiC-MOSFET 与 Si-MOSFET 的区别 与其详细研究 SiC-MOSFET 每个参数,我们可以先弄清楚驱动方法等与 Si-MOSFET 有怎样的区别。这里...
SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题,基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车,充电桩和光伏逆变器(不考虑成本的话)的最优方案; GaN-MOSFET由于具有超高频率性能,在5G射频领域前景广阔,目前以5G基站PA为主预计将来会扩宽至终端设备射频领域(如手机).另外G...
大电流SiIGBT和小电流 SiCMOSFET两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同电流下的优异特性,一般会将的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例进行混合并联使用。
如果忽略SiC T-MOSFET体二极管的动态损耗[3],计算结果与两电平逆变器相同[9],但该实验中仅施加了50%直流母线电压。假设开关能量Esw,漏极电流ID和直流链路电压存在线性关系,则总开关损耗可以根据以下公式进行近似计算: 本文所述的调制方案结合ANPC拓扑结构的一个显著优势在于,运行几乎不受功率因数的影响,并且无需对Si...
即插即用门极驱动器SiC-MOSFET和Si-IGBT模块至1700V的门驱动器 XHH9062 LV.9 08-25 23:49 2SPO230T2x0是一款用于62mm SiC和IGBT功率模块的双通道即插即用门极驱动器系列。它为2级1700 V应用中的所有初级侧信号提供增强阿离,并为3级1200V应用提供基本绝缘。图3显示了2SP0230T2X0的功能图。该驱动器系列...
本申请提供了一种SiCMOSFET、SiIGBT和SiMOSFET的混合开关结构,该开关结构由两条并联支路构成,第一条电流支路为SiCMOSFET,第二条电流支路为SiIGBT与低压SiMOSFET串联结构。该混合开关结构相较于现有的SiCMOSFET混合SiIGBT开关结构,增加了一个低压SiMOSFET,器件成本基本没有增加,混合开关结构中的电流大部分流经IGBT,可靠...