此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。 与IGBT的区别:关断损耗特性 前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高...
由大芯片面积、大电流等级的 Si IGBT作为主器件,小芯片面积、小电流等级的 SiC MOSFET 作为辅助器件,两者并联构成的 Si/SiC 混合器件(Hybrid Switch, HyS)。 2. 混合器件目的 结合了SiC MOSFET高开关频率、低开关损耗和Si IGBT大电流低导通损耗和成本低等优点实现了器件性能与价格成本的优化折衷,被认为是解决 SiC...
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,...
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复...
GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基 SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。根据功率、频率2个维度我们梳理主流功率器件物理特性及适用场合：Si-IGBT虽然在高压领域具有优势，但是并不能胜任高频领域需求；Si-MOSFET可以胜任高频领域，但是对于电压有一定的限制；SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中...
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复...
SiC-MOSFET 与 Si-MOSFET 相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压 Vgs 越高导通电阻越低的特性。下图表示 SiC-MOSFET 的导通电阻与 Vgs 的关系。 图表示 SiC-MOSFET 的导通电阻与 Vgs 的关系 导通电阻从 Vgs 为 20V 左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的 IGBT 和 ...
大电流SiIGBT和小电流 SiCMOSFET两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同电流下的优异特性,一般会将的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例进行混合并联使用。
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复...
通常情况下,SiC 二极管和 MOSFET 可以采用各种标准封装方式(包括分立器件和模块)。分立器件可以分为两类:THT 器件(通过孔技术插装)和 SMD(表面贴装器件)。在进行封装设计时,了解和考虑 SiC 物理特性是必要的。例如,由于 SiC 器件具有更短的开关时间,封装内的寄生电感在 SiC 半导体中比在 Si IGBT 中更为重要。